NAND Flash控制芯片群联,攻NAND芯片商机火力全开,3月起推出高中低阶USB 3.0U盘全系列产品抢市;嵌入式存储器eMMC和控制芯片,也获联发科、宏达电、华硕及宏碁及联想、华为等一线厂认证,第2季放量出货,下半年倍增。

封测双雄日月光(2311)与矽品(2325)在北美半导体B/B初值1.14重回1大关、第1季金价及新台币汇率走势对毛利率有利,且股价净值比接近过去3年历史区间下缘等有利因素下,获本土法人机构陆续调高投资评等,相关权证也吸引买盘卡位。

晶圆与IC成品测试厂京元电(2449)公告去年财报,在通讯应用产品、CMOS影像传感器需求强劲推升之下,全年营收年增10.1%至126.87亿元,税后盈余更大幅增长225%至15.54亿元,EPS为1.31元。

NAND闪存缺货潮愈演愈烈,受制于三星、东芝、SK海力士等三大芯片厂新增产能无法在第2季底前开出,NAND供不应求情况势必延续到下季末。为了确保货源,国内模块厂高层近日纷赴日、韩抢货。

研调机构iSuppli预期,今年个人计算机(PC)内建动态随机存取内存(DRAM)容量成长率仅约17.4%,将创下历史新低纪录。

例如,西部数据针对Skyera的skyHawk固态存储器,有着"业内突破性的、不到3美元/gb"的标价。根据公告,skyHawk的推出,标志着最新一代的19/20nm固态技术,可首次直接用于替换传统的企业级硬盘系统。

内存大厂美光(Micron)乐观指出,今年新增产能有限,因此在移动DRAM强劲需求带动下,DRAM价格下跌空间有限。

随PC业走下坡,DRAM产业于2007年第二季由盛转衰,近六年以来,每每有DRAM厂倒下就是产业复苏之时,此波亦如是;DRAM价格于去年底至今飙涨已逾一倍,然而,台系DRAM厂已纷纷淡出,也就无法大幅受惠。

2012年下半年NAND Flash芯片厂三星、东芝、美光、SK 海力士等均减少了NAND Flash芯片产出量,转而生产其他产品,比如移动处理器, Mobile DRAM等,而且表示2013年均无意多增加NAND Flash产能。

随着新美光集团诞生,后段封测代工链也跟着浮上台面,业界评估,力成(6239)拥有产能与技术优势可成为最大赢家,南茂、华东(8110)亦可分杯羹,反观福懋科(8131)、联测因产品线过于单一以及客户过于集中,恐在这次洗牌当中出局。

目前NAND Flash的制造主要是19或20纳米,如果要转换至16纳米,必须使用极紫外光(EUV)设备,但目前看来投入时间,可能将比预期延后。

智能型手机等移动设备热卖造就新一波半导体产业荣景,而存储器厂在2013年纷缩减资本支出,现阶段DRAM产业首要任务是消化过去所累积过剩产能,NAND Flash产业则是经过连续2年扩产后转趋保守因应...

希捷科技宣布其第三代固态混合式硬盘( solid state hybrid drive, SSHD )产品将正式出货。最新款的 Seagate Laptop Thin SSHD 混合式硬盘厚度仅 7mm ,专为业界最轻、最薄的笔记本电脑所设计。

移动设备销售畅旺加上新机种进入备货旺季,三星、SK海力士、东芝等上游NAND Flash芯片厂接单量大增,但因去年景气不佳,NAND厂并无新建生产线,导致现在MLC/TLC规格NAND芯片大缺货...

南亚(1303)2月合并营收224.03亿元,较1月的278.82亿元减达2成、年减16.06%;累积前两月合并营收502.86亿元,年减0.53%。

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