资本支出有限 DRAM/Flash新局面形成

存储器 中国闪存市场 Helan 2013-03-11 08:54
智能型手机等移动设备热卖造就新一波半导体产业荣景,而存储器厂在2013年纷缩减资本支出,现阶段DRAM产业首要任务是消化过去所累积过剩产能,NAND Flash产业则是经过连续2年扩产后转趋保守因应,存储器业界预期透过严控扩产及集成结束后,未来几年存储器产业将进入价格愈益稳定的全新局面。
近几年半导体产业不论是晶圆代工、DRAM、NAND Flash产业,都搭上移动设备如智能型手机、平板计算机等热潮而有新一波商机,但潜在隐忧是仍看不到杀手级应用产品现身,使得半导体大厂在资本支出相对谨慎。
2013年晶圆代工厂资本支出互有高低,但存储器厂普遍出现资本支出踩煞车情况,有助于刺激产品价格上涨,且稳定一段很长时间。
存储器厂指出,DRAM产业刚结束马拉松式的集成赛,5年淘汰2家国际DRAM大厂奇梦达(Qimonda)、尔必达(Elpida),加上南亚科、力晶、华邦等陆续退出标准型DRAM领域,现有3家大厂都以获利为优先,将为产业开创连3年都价格稳定且享有获利的荣景。2013年全球DRAM产业资本支出将降至43亿美元,对照2010年113亿美元、2011年85亿美元已明显压低,为未来DRAM市场铺上健康大道。
半导体业者认为,目前PC需求虽仍疲弱,但智能型手机、平板计算机需求正热络,消化多数DRAM产能,估计2013年移动存储器Mobile RAM占总存储器产能约30%,若合计服务器DRAM产能,占比约50%,而PC用DRAM占比则降至30%出头,创下历史新低。
至于NAND Flash产业资本支出亦持续缩减,2013年资本支出降至104亿美元,相较于2011、2012年分别达123亿及111亿美元,已明显踩煞车。2013年智能型手机内嵌式存储器eMMC渗透率持续攀升,且内建存储器容量倍增,使得消化NAND Flash产能相当有空间,而固态硬盘(SSD)渗透率仍不高,未来对NAND Flash芯片需求一路看涨。
设备厂则指出,DRAM产业虽已走出谷底,价格开始上涨,但过去几年扩产所留下剩余产能仍待消化,因此对2013年存储器客户采购力道较保守,至于晶圆代工客户仍偏乐观,待存储器客户产能消化告一段落后,有机会再看见新投资出笼。

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