1Xnm级、3D架构NAND技术挑战大

存储器 中国闪存市场 Helan 2013-03-11 08:58
目前NAND Flash的制造主要是19或20纳米,如果要转换至16纳米,必须使用极紫外光(EUV)设备,但目前看来投入时间,可能将比预期延后。使用3D构造方式,虽然是可能的替代方案之一,但由于费用与产能是否稳定等问题,看来也并非易事。韩国业界人士也指出,在NAND Flash晚一点转换至新制程的同时,对于在后方苦苦追赶的业者,如SK海力士(SK Hynix)或美光(Micron)等而言,或许将是个大好的机会。
韩国业界最近传出消息,指出三星电子(Samsung Electronics)、SK海力士、东芝(Toshiba)与美光等NAND Flash的制造业者,在即将转换到新一代制程的当下,似乎正面临两难苦恼。
首先,从19到16纳米(或15纳米),最简单的方式即是使用所谓的EUV设备。不过,依目前的计画,量产用EUV设备,可能要等到2014年底才可能交货。因此,另一种替代方式,即是所谓的3D构造NAND Flash。使用3D构造方式,可望让NAND Flash业者最快于2013年下半进入量产。
据悉,2013年三星在华城16产线,使用3D垂直(Vertical) 堆叠方式,试产所谓的 V NAND Flash后,大陆西安的NAND Flash产线,可能也将使用该方式生产。SK海力士方面,也使用SMArT(Stacked Memory Array Transistor)堆叠方式,研发3D NAND Flash,预计将在2013年底,将进入试验量产阶段。
目前3D构造方式的最大问题,是3D构造的生产与2D完全不同,因此生产设备得完全换掉,费用负担将是一个问题。此外,3D构造的可靠性与稳定度也是一个大问题。因此,3D构造方式可能较适合工厂建立的新产线。
不过,一旦当EUV设备研发完成后,无论从生产效益或费用等层面而言,16米以下与3D制程,孰优孰劣似乎不证自明。韩国业界半导体专家表示,如果将制程分为两种,费用与生产效益皆是问题。
此外,对于三星而言,大陆西安工厂如果预计从2014年开始进入V NAND Flash量产,到时候如果EUV设备也可望投入的话,对于后方追赶的SK海力士或美光等而言,可能将是一个大好的机会。

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