为了更好的反映市场,中国闪存市场网(中、英文网)将于2013年9月9日对Micro SD、SD、U盘模块部分产品名称进行更改,还将增加超高速(Ultra High Speed)接口的Micro SD和SD产品,以及USB 2.0系列的COB产品(COB又称
近日,东芝公司推出了全新的TransMemory-EX II系列USB 3.0优盘,传输速率再破纪录,其中读取速度高达222MB/s,写入速度则为205MB/s,并提供了32GB、64GB和128GB三种可选容量。新产品采用了东芝的双倍数据速率NAND闪存
美光合并Elpida后,在DRAM市场市占率与海力士仅在伯仲之间,然海力士一把火,将影响其后续的产能恢复以及产出,新美光集团成军第一季度,即可望在DRAM市占率向上挺进,拉开与海力士的拉锯战,成为DRAM产业的第二大势力,进一步与三星抗衡。
SK海力士大陆无锡厂发生大火,引爆PC大厂DRAM抢货潮,包括戴尔、惠普与联想等品牌厂采购主管,在昨日、今日兼程赴韩,直接到三星抢补DRAM,接着将直接来台固桩扫货。
全球主要的DRAM模块品牌厂威刚(3260)董事长陈立白今(5)日上午也证实,PC OEM厂的确自昨晚就紧急来拉货,威刚工厂从昨天晚上开始加班,因应爆满的订单,他预估此意外将使DRAM现货价格突破今年6月的高点,再刷新今年新高水平。
存储器大厂海力士(Hynix)中国无锡厂传出火警,台湾DRAM厂股价大涨,后段存储器封测厂福懋科、华东、力成盘中劲扬。
昨日报道指出,海力士无锡半导体工厂发生火灾,大火产生的浓烟数十公里外可见,可能涉及有毒化学品,厂区周边气味刺鼻。
产业人士指出,覆晶封装(Flip Chip)技术有机会在存储领域扎根,南韩大厂三星正积极主导内存覆晶封装技术,预估2年后可进入成熟阶段。 产业人士预估,覆晶封装技术有机会在DDR4内存世代产品,站稳脚步。
南韩SK海力士(SK-Hynix)大陆无锡厂昨(4)日发生爆炸意外,大火延烧数小时,导致全球DRAM暂停报价,全球第一大厂三星立即通知客户重新议价;模块厂龙头金士顿也立即调高大陆报价。业者估计,受波及的产能将逾10万片,并横跨DRAM与NAND Flash
2013年9月4日下午SK-Hynix位于中国无锡的存储器工厂发生起火爆炸,该无锡工厂预计12吋Wafer产能大约为15万片/月,受爆炸影响,预估将有近10万片产能归零,并且可能需要6个月才能恢复。
据央视新闻报道,今天下午15点30左右,无锡新区海力士集团,一个氨气和硅烷混合气体的厂房发生爆炸引发大火,浓烟数公里外可见,可能涉及有毒化学品。无锡消防10个中队40余辆车200多名消防官兵赶赴现场扑救。目前厂房顶上有10多人被困,救援工作正在进行。
存储器产业受惠于整合成功,DRAM明年仍可维持供不应求态势,厂商获利状况也将进一步改善;而NAND Flash今明年的需求则超乎预期,且在业者转进3D NAND Flash面临挑战下,供给面可进一步获得控制。
随着晶圆代工、IDM厂与封测大厂同步挥军3D芯片布局,预估2017年时3D芯片占全球芯片出货量比重将达9%,相较2010年时仅约1%呈爆发性成长。
摩根士丹利副总裁詹家鸿今(4)日表示,DRAM明年需求将增加28%,不过,价格将跌22%,不过,由于各大厂产能增加,量乘价下,使总盈余增加,以致各厂每股盈余也会跟着增加,看好晶圆厂和封测厂明年表现。
SEMICON TAIWAN 2013即将于今(4)日正式开展,记忆体大厂华亚科(3474)总经理Scott Meikle表示,全球存储器产业大幅亏损的周期已过,今年美光完成合并Elpida,全球只剩三个供应商,全球存储器产业的价格和供给已稳定,台厂占全球