宇瞻9月合并营收9.88亿元,月增26.15%,并创下今年新高。第三季合并营收27.45亿元,比第二季成长约12.53%,同创今年来单季最佳纪录。

中国大陆中低阶智能型手机需求仍强,高阶封测的订单延续到2013年底,可望带动日月光(2311)、矽品等IC封测厂淡季不淡,第4季续旺。

现在NAND Flash芯片厂三星电子、东芝、美光、SK 海力士等纷纷定出3D NAND Flash芯片量产的时间表,可以看出各芯片厂从2013年开始将全力布局3D NAND Flash产品,不过,出样和量产时间均不同。

韩国SK海力士(SK Hynix)大陆无锡工厂大火之后,SK海力士为弥补供货短缺,已将韩国厂产能转作DRAM,全球最大存储器供应商三星也转移部分NAND Flash产能生产DRAM,支应DRAM供货短缺的情形,芯片大厂芯片生产发生变化,恐影响NAND Fl

「华尔街日报」(WSJ)科技部落格Digits报导,在三星电子公司智能型手机事业成长恐放慢的疑虑出现之际,这家南韩科技业巨擘的存储芯片可能会成为其新亮点。

台塑集团旗下DRAM双雄南科(2408)、华亚科(3474)昨(7)日公告9月营收报喜,南科9月营收月增8.3%来到38.05亿元,华亚科则是月增7.3%达59.76亿元,连续3个月创下历史新高。由于DRAM价格第4季看涨,南科及华亚科不仅营运表现将优于第

受到SK海力士火灾影响,9月DRAM合约价大涨逾一成,NAND Flash合约价跟进小涨,模块厂以威刚(3260)最受惠,在外资上周大幅加码下,今最早股价最高达93.5元,进逼内存模块厂股王宝座。

存储器封测厂第4季逆势增温,在SK海力士无锡厂火灾效应延续,美光阵营趁机大抢转单效应,包括日本美光(尔必达)、台湾美光(瑞晶)、华亚科(3474)的产能大开,同时也加大对台系封测厂释出订单,包括力成(6239)、华东(8110)、南茂(8150)等对第4季

南韩SK海力士大陆无锡厂失火,将PC DRAM价格推上近三年新高,连带使第4季合约价涨定,带动台系大厂华亚科、拥有低价库存的威刚和利基型存储厂晶豪科今年获利暴冲。

IHS的资深分析师Mike Howard表示,受季节性因素影响,Q2市场对智能型手机及平板的需求有所减少,以致2013年上半Mobile DRAM占DRAM的比重低于2012年下半的比重。不过,预期2013年下半的智能型手机及平板计算机需求会上升,且随着各

韩国时报报导,第2季SK海力士公布获利率为28%,三星维持20%。这是SK海力士获利率表现首次超越三星。韩国投资公司KB Securities分析师Byun Han-joon预估第3季三星芯片业务营收将达到9.5兆韩元(约88.35亿美元),营业利润为2.

SK海力士火灾案后,标准型DRAM恐有缺货之虞,传出存储器大厂进行产能调配,将移动DRAM、NAND Flash部分产能挪回生产标准型DRAM,有利于NAND Flash价格回稳,市场预估,以NAND Flash为主的创见、广颖等模组厂,10月营运获利乐观

韩国DRAM大厂SK海力士(SK Hynix)大陆无锡厂惨遭祝融之灾后,市场预期DRAM供给将极度吃紧,PC OEM库存进一步消化后,10月DRAM缺口将再扩大,惟9月官方DRAM合约价陷入难产,导致部分通路商不耐久候,抛出手中库存导致现货价回跌,但后续供

SK海力士(SK Hynix)2013年9月出大陆无锡厂发生大火,日前公司表示为了弥补火灾损失的存储器产能,会将NAND Flash产能转到DRAM上,而此举将造成NAND Flash市场供给吃紧,对此市场看法不一,但势必会引发存储器市场供应变化。

利基型DRAM厂因受到SK海力士无锡厂祝融,传出第四季MCP(多芯片封装)将缺货,台厂受惠转单效应,概念股包括晶豪科、力积、钰创早盘股价皆上涨逾3%,涨幅优于IC设计族群。

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