3D NAND Flash 2017年市占可望超过6成

存储器 中国闪存市场 Helan 2013-10-08 12:34
现在NAND Flash芯片厂三星电子、东芝、美光、SK 海力士等纷纷定出3D NAND Flash芯片量产的时间表,可以看出各芯片厂从2013年开始将全力布局3D NAND Flash产品,不过,出样和量产时间均不同。
根据IHS iSuppli调查,虽然到2013年底前3D NAND Flash出货量占整体NAND Flash出货量将仅微幅成长0.4%,但从2014年起出货量市占率将持续成长,预估2014年将成长至5.2%,2015年更将大幅成长至30.2%,之后更预估达49.8%、近5成比重,2017年并可望超越6成。 
注:数据来源IHS iSuppli
各芯片厂发展3D NAND Flash主要因为3D技术可以使NAND Flash价格较纳米技术低很多,还有很多其它的优势。以三星的3D V-NAND产品为例,V-NAND将较1x纳米NAND Flash更为可靠,可提供更好的性能表现以及更低的电力消耗优势,并拥有随机写入功能。由于3D技术与之前的技术不一样,生产成本将会明显高出许多,所以生产3D NAND Flash所采用的设备将是发展的关键。
3D NAND Flash另一个优势就是可生产的容量比较大,所以比较适合企业、网络服务器以及云存储等,市场应用也比较大,不过由于是新技术产品,在实际应用中的考验还待观察。现在三星电子推出的基于V-NAND架构生产的固态硬盘(SSD)目标先锁定在企业市场,并于2013年第2季开始商用化生产。

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