2013年下半年高阶智能型手机需求降温,影响整体智能型手机需求下滑,虽然低阶智能型手机市场正在快速扩张,但由于低阶智能型手机受成本限制,其所使用的NAND Flash储存容量较低,NAND Flash产业因而未大幅受惠于低阶智能型手机的成长,而且各业者推出
存储器模块厂广颖电通宣布,推出采用Thunderbolt技术的超高速外接式固态硬盘(SSD)T11,并成功取得英特尔(Intel)及苹果(Apple)认证。
DRAM业者指出,10月DRAM合约价虽然比9月上扬不少,但11月转为下滑,12月可能与11月持平或小跌,整体第4季价格应该会比第3季上扬,但幅度可能低于一成,不如原先预期。
存储器厂华亚科(3474)将跳过25奈米制程、直接挥军20奈米,外资券商大摩(Morgan Stanley)指出,华亚科在未来3年内投入300亿元资金开发、优化20奈米制程,这笔资金与技术发展的豪赌,将成为华亚科未来营运的重大风险。
在加利福尼亚圣何塞举办的"加速创新峰会"(Accelerating Innovation Summit)上,LSI带来了面向读取密集型服务器应用的Nytro XP 6200系列PCIe固态硬盘产品。
由于NAND Flash供应商库存堆积如山,并一路延烧到内嵌式存储器(eMMC)芯片,近期供应链传出NAND Flash大厂开始低价抛售eMMC模块,报价甚至比纯Flash芯片更便宜,部分控制芯片业者趁势将eMMC转为USB 3.0芯片,有效点燃USB 3
据EETimes报导,分析师预期未来通用存储器(Universal Flash Storage;UFS)将取代内嵌式存储器eMMC,成为Ultrabook、平板,及高阶智能型手机的存储器首选。
群联控告必恩威亚太公司,涉及侵害群联「通用序列汇流排(USB) 存储器设备」专利权,向法院请求损害赔偿1,500万元事件,智能财产法院第一审法官李维心日前宣判,群联败诉;群联若不服判决,可向智能财产法院第二审提出上诉。
存储器市场2013年第3季需求不如预期,市场表现旺季不旺,NAND Flash报价涨价有限,Q4又提前进传统淡季,NAND Flash价格持续走跌,影响存储器模块厂营收也不如预期。据日前存储厂商公布的财报数据显示,2013年第3季营收表现退步。
受到DRAM、NAND Flash价格走跌影响,存储器模块厂宇瞻科技(8271)、广颖电通(4973)第3季获利约比第二季减少约3~4成,但前三季表现仍算稳定,宇瞻还比去年同期成长。
工研院IEK ITIS计划分析指出,由于海力士无锡厂半数产能受影响,估计约需要6-9个月才能完全恢复,供给的短缺会推升DRAM价格,包括华亚科(3474)、南科(2408)等存储器制造商,乃至于存储器下游模块厂都将因此受惠,且获利后市看好。
据ET News报导,在DRAM存储器芯片市场上SK海力士(SK Hynix)近来抢在三星电子(Samsung Electronics)之前推出次世代新产品,不甘只做二哥。
过去10年可说是NAND Flash应用的黄金时期,从闪存卡盛行达到顶峰,到之后USB优盘应用崛起,许多台系存储器模块厂与IC设计公司均躬逢其盛。然随著应用市场开始往固态硬盘(SSD)转移后,商业模式和市场游戏规则出现改变
USB 3.0优盘芯片市场持续进入集成赛,2013年陆续有祥硕、联阳、威锋宣告退出市场,形成群联、慧荣、银灿3家独大局面!近期传出存储器模块大厂金士顿(Kingston)针对USB 3.0优盘零组件增加备货量,有意带头力拱此市场,加上NAND Flash报
矽穿孔(Through-silicon Via, TSV)将是三维NAND Flash(3D NAND Flash Memory)效能不断提升的重要技术。现今NAND Flash已面临制程微缩的瓶颈,各家厂商无不戮力开发3D NAND Flash,以突破物