SK海力士、三星DRAM产品竞争激烈

存储器 中国闪存市场 Helan 2013-11-13 09:40
据ET News报导,在DRAM存储器芯片市场上SK海力士(SK Hynix)近来抢在三星电子(Samsung Electronics)之前推出次世代新产品,不甘只做二哥。
据悉,SK海力士6月领先三星电子,率先推出采用25纳米制程技术制造的8Gb LPDDR3 DRAM。接著,10月又领先全球,成功研发出6Gb LPDDR3 DRAM,以四段堆叠的方式将3GB容量集成到一个封包内。
2014年2月,SK海力士计划在美国旧金山举办的半导体最高权威学术大会「国际固态电路研讨会(ISSCC)」中公开可实现128Gb/s驱动速度的技术。
SK海力士早三星一步,对苹果(Apple) iPhone 5S供应LPDDR3,而受到瞩目。韩国业者表示,苹果都是额外订购符合自家设计的封包,而SK海力士较三星提早一个月提供样品测试。
在苹果与三星进行专利缠讼时,苹果以去三星化的手段,不向三星采购行动DRAM等方式牵制。而SK海力士则掌握了渔翁得利的机会,研发出符合苹果要求的封包,在技术能力上也获得提升。
近来SK海力士的竞争力已足以令三星感到威胁,秘诀在于SK海力士确保了IC设计及制造专家等核心人物。本身为技术长(CTO)出身的SK海力士社长朴星昱,是将SK海力士推向全球存储器业界二哥的一大功臣。
SK海力士制造部门长官吴世容,2005年在三星任职时,已是一流的核心技术人物,且曾担任韩国半导体封装协会长。进入SK海力士后,推动超越三星企画,使SK海力士得以创造令人刮目相看的成绩。
报导称,一位熟知三星内情的人士透露,三星为巩固市场龙头地位,势必要牵制SK海力士。此外,三星内部也进行人事管制,避免三星人才外流。

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