韩国教育科学技术部评选出了五位拥有顶尖技术有望推动韩国科学达到新水平的科学家。在物理学领域的教授韩国首尔国立大学物理专门学部的卢泰元(노태원)教授被授予了韩国国家科学家的称号。
相变化存储器名称有很多种,包括PCM)、PRAM等,全球的相变化存储器分为3大阵营,包括恒忆(Numonyx)/英特尔三星、旺宏/IBM等,其中恒忆和旺宏都称为PCM,三星的产品则称为PRAM。
USB 3.0薄型记忆卡的优点是高速、省电、传输速度快、体积小,且重点是免收权利金,目前容量由16GB起跳,最高可达2,048GB容量,是目前成长潜力最高的传输接口。
一直到2009年TLC(Triple-Level Cell)时代,1个记忆体储存单元可存放3位元。驱动NAND Flash价格不断下降,也使得快闪记忆卡,尤其是小型记忆卡microSD的容量越来越大。
为了获得更好的节电性能,MMC协会推出了既能在低电压下工作又能兼容原有RS-MMC的存储卡--MMC moboile,它能在1.65~19.5V和2.7~3.6V电压两种模式下工作,理论传输速度最高可达52MB/s。
闪速存储器(Flash Memory)是一类非易失性存储器NVM(Non-Volatile Memory)即使在供电电源关闭后仍能保持片内信息;而诸如DRAM、SRAM这类易失性存储器,当供电电源关闭时片内信息随即丢失。
AMD与Fujistu共同推出的UltraNAND技术,称之为先进的NAND闪速存储器技术。它与NAND标准兼容:拥有比NAND技术更高等级的可*性;
即smart media,智能媒体卡,一种存储媒介。sm卡采用了ssfdg/flash内存卡,具有超小超薄超轻等特性,体积37(长)×45(宽)×0.76(厚)毫米,重量是1.8g,功耗低,容易升级,sm转换卡也有pcmcia界面,方便
SDHC是"Secure Digital High Capacity“的缩写,即“高容量SD存储卡”。2006年5月SD协会发布了最新版的SD 2.0的系统规范,在其中规定SDHC是符合新的规范、且容量大于2GB小于等于32GB的SD卡,
SSD(Solid State Disk)采用NAND Flash为存储介质,其特别之处在于没有机械结构,利用传统的NAND Flash特性,以区块写入和抹除的方式作读写的功能,因此在读写的效率上,非常依赖读写技术上的设计,与目前的传统硬盘相较,具有低耗电
| 存储原厂 | ||
|---|---|---|
| 三星电子 | KRW 292500 | -2.34% |
| SK海力士 | KRW 1941000 | +0.05% |
| 铠侠 | JPY 57400 | +3.72% |
| 美光科技 | USD 762.100 | +4.11% |
| 西部数据 | USD 486.460 | +5.84% |
| 闪迪 | USD 1542.240 | +10.75% |
| 南亚科技 | TWD 310.5 | +5.97% |
| 华邦电子 | TWD 125.0 | +9.65% |
| 主控厂商 | ||
|---|---|---|
| 群联电子 | TWD 2430 | +4.07% |
| 慧荣科技 | USD 263.510 | +2.13% |
| 联芸科技 | CNY 87.79 | +4.31% |
| 点序 | TWD 106.0 | +1.44% |
| 品牌/模组 | ||
|---|---|---|
| 江波龙 | CNY 549.50 | +1.95% |
| 希捷科技 | USD 810.460 | +7.91% |
| 宜鼎国际 | TWD 1725 | +0.88% |
| 创见资讯 | TWD 316.5 | +0.96% |
| 威刚科技 | TWD 417.5 | +1.09% |
| 世迈科技 | USD 48.810 | +2.48% |
| 朗科科技 | CNY 68.04 | +0.40% |
| 佰维存储 | CNY 312.25 | +3.74% |
| 德明利 | CNY 674.00 | +2.73% |
| 大普微电子 | CNY 888.99 | +8.94% |
| 大为股份 | CNY 38.98 | +1.70% |
| 封测厂商 | ||
|---|---|---|
| 华泰电子 | TWD 54.6 | +3.21% |
| 力成 | TWD 283.0 | +9.90% |
| 长电科技 | CNY 72.88 | +9.04% |
| 日月光 | TWD 561 | +10.00% |
| 通富微电 | CNY 63.44 | +2.72% |
| 华天科技 | CNY 15.43 | +1.58% |

