据CFM闪存市场分析，2025年四季度全球DRAM/NAND Flash市场规模达755.1亿美元，环比增长29.2%，其中全球DRAM市场规模环比增长29.8%至519.65亿美元，NAND市场规模环比增长27.8%至235.45亿美元。全年来看，2025年全球DRAM/NAND Flash市场规模历史上首次突破2000亿，同比增长32.7%至2215.91亿美元。
铠侠发布截至2025年12月31日的FY25Q3（2025年10-12月）财务业绩，营收5436亿日元（约合35.47亿美元），创历史新高，环比增长21.3%，主要得益于平均销售价格（ASP）和bit出货量的提高；Non-GAAP下，营业利润为1447亿日元（约合9.44亿美元），环比增长65.9%；Non-GAAP下归属于母公司所有者的利润为895亿日元（约合5.84亿美元），环比增长114.6%，营业利润与净利润均超出指引上限。
展望2026财年第三财季（2026年1-3月），Non-GAAP下，闪迪预计营收为44亿美元-48亿美元，毛利率为65% - 67%，运营费用为4.5亿美元-4.7亿美元。尽管数据中心业务正加速增长，但受季节性因素影响，闪迪预计第三财季市场供应环比上季度更加紧张，NAND bit出货量将下降中个位数百分比。
展望2026年一季度，预计市场将延续强劲势头，考虑到库存水平显著偏低，DRAM bit出货量增长将仅限于低个位数百分比区间，NAND bit出货量将以中等个位数百分比增长。
美光计划增加2026财年的资本支出至约200亿美元，较此前180亿美元的预估有所上调。值得注意的是，2026财年资本支出同比将增长约48%。此项增加的资金将主要用于支持其在2026日历年的HBM供应能力及1-gamma工艺节点产能。
铠侠预计NAND需求将超过供应，2025财年bit出货量将实现15%的增长，而由于预见性的供应限制，2026财年bit出货量增长率约在17%-19%之间。
闪迪表示，该财季NAND产品需求超过了供应，库存周转天数从135天减少到115天，预计这一趋势将持续到2026年底。
三星电子计划2025年投资约47.4万亿韩元（约合333.3亿美元）用于设施建设，其中DS部门投资40.9万亿韩元（约合287.6亿美元），以改造先进工艺并补充现有生产线，从而应对市场对高附加值产品的需求。
从需求来看，SK海力士预计全球DRAM bit需求将从2025年的增长17%-19%提高到2026年的增长超过20%；全球NAND bit需求将从2025年的增长15%提高到2026年的增长17-19%。
2025财年（2024年9月-2025年8月），美光营收达到创纪录的374亿美元，同比增长近50%；毛利率提升17个百分点至41%。这一业绩得益于高价值数据中心产品的产能爬坡以及各终端市场DRAM产品的广泛定价优势。HBM、高容量DIMM内存条及低功耗服务器DRAM的总收入达到100亿美元，较上一财年增长超过五倍。数据中心SSD业务在2025财年也实现了收入与市场份额的双重突破。
该财季闪迪还开始实施提价措施，旗下几款产品已实行分配销售，这将支持进一步提价。闪迪将继续根据市场状况调整供应，重点在于实现健康且可持续的盈利水平。
基于数据中心和企业级SSD产品需求将保持强劲，并且智能设备客户出货量也将增加，铠侠预计FY25Q2（7-9月）营收及利润都将实现显著环比增长。
为了满足人工智能服务器对 DRAM 的强劲需求，内存业务将积极满足高密度产品的需求，并通过HBM、服务器 LPDDR5X、高密度 DDR5、24Gb GDDR7等产品实现产品多样化。在 NAND 方面，计划提升高密度、高性能SSD的销量，同时加速所有应用向第八代 V-NAND 的过渡。
SK海力士预计三季度，DRAM bit出货量将以中低个位数环比增长，NAND bit出货量环比有限增长。
美光表示，终端市场的客户库存水平总体保持健康，部分客户可能因关税相关因素而采取了一些措施，客户表示今年剩余时间的需求环境将保持积极，美光也将保持灵活应对宏观环境或不断变化的关税相关形势可能带来的任何不可预见的需求变化。
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