从各存储原厂目前规划来看,2026-2028年将成为全球存储产业产能建设与技术升级最密集的阶段。AI需求正在推动存储原厂资本开支向DRAM、HBM及企业级SSD倾斜,而新增产能真正大规模释放则普遍集中在2027-2030年之间。未来市场能否维持高景气度,最终仍取决于AI基础设施投资与新增供给之间的动态平衡。

AI模型参数突破万亿、上下文窗口迈向百万级Token,KV缓存作为AI推理的“工作记忆”,体量随之呈指数级增长,传统存储体系的不足日益凸显。为此,英伟达在Vera Rubin平台中推出BlueField-4 STX机架,搭载CMX平台,专为长上下文推理设计,通过硬件专用加速、重构存储层级,打破“内存墙”和“能效瓶颈”,让存储从数据保管者转变为AI推理性能的核心驱动力。NAND因此成为推理扩容核心介质,需求爆发且专用化加速。

谷歌此前推出的第八代TPU芯片,打破以往单一芯片更新迭代的惯例,首次实现训练、推理双芯拆分,推出专为大规模训练打造的TPU 8t和专为推理与AI智能体优化的TPU 8i,精准匹配不同AI场景的差异化需求。

受供需错配影响,DRAM与NAND合约价格环比大幅上行,原厂议价能力显著提升,紧缺涨价格局仍具备较强延续性。据CFM闪存市场分析,2026年一季度全球DRAM/NAND Flash市场规模达1371.4亿美元,环比增长81.6%,同比增长245%,再创历史季度新高。

2025年,随着生成式AI浪潮席卷全球,企业级数据中心市场迎来需求爆发,PC及消费类市场表现相对平淡。根据CFM闪存市场数据,2025年全球SSD主控市场共出货约4.012亿颗,相较2024年增长3.5%。

苹果此次选择在MacBook Air入门产品线的基础上,进一步“阉割”推出MacBook Neo,核心是重构产品线分层,精准抢占增量市场,而非简单的“清库存”或“降价走量”。

随着开源AI智能体工具的流行,AI正加速从“云端”回归“本地”,用户为追求隐私、低延迟及离线能力,纷纷选择本地部署。Apple Silicon凭借统一内存架构,消除了数据传输瓶颈,成为运行本地大模型的理想平台。

CFM闪存市场日前发布的《2026Q1全球存储市场报告与Q2展望》显示,AI新增需求推动长期存储价格中枢大幅攀升,AI服务器成为全球存储市场增长的核心引擎,引发原厂存储产能虹吸效应,全球存储供应格局从通用均衡供应转向AI基建优先。CFM预计服务器96GB及以上高容量DDR5每Gb单价全面突破2美金,64GB和96GB D5 ASP保持一定价差,4TB及以下容量eSSD ASP或将高达0.4美元/GB以上,预计服务器DDR5、eSSD涨幅都将收敛至50%以内。

此番手机、平板及PC等终端产品涨价或许仅仅是一个开始,随着明年新一轮存储芯片成本传导至整机,预计未来将有更多的品牌和终端产品跟进涨价。

CFM闪存市场近日发布2026年存储市场展望报告。报告指出,预计2026一季度,Mobile eMMC/UFS涨幅将达25%~30%,LPDDR4X/5X涨幅或达30%~35%;PC端DDR5/LPDDR5X涨幅将达30%~35%,cSSD上涨25%~30%。

据CFM闪存市场数据显示,2025年三季度全球DRAM市场规模环比增长24.7%至400.37亿美元,NAND市场规模环比增长16.8%至184.22亿美元,三季度全球存储市场规模连续两季度成长至584.59亿美元,创造季度历史新高。目前Memory供应满足率降低,各应用领域供应紧张的局面持续发酵,随着供应商库存水位的进一步下降,DRAM和NAND市场价格已经全面上涨,在此情况下,预计四季度存储市场规模将续创季度新高。

CFM闪存市场近日发布2025年Q4存储市场展望报告。报告指出,预计四季度,服务器eSSD涨幅将达到10%以上,DDR5 RDIMM价格涨幅约10%~15%;Mobile嵌入式NAND涨幅约5%~10%,LPDDR4X/5X涨幅约10%~15%;PC端LPDDR5X/D5价格涨幅预计将落在10%~15%,cSSD价格涨幅达5%~10%。

目前,闪迪已打响NAND涨价的第一枪,未来其他存储原厂有望跟进。CFM闪存市场预计包括中国企业在内的各大原厂四季度将迎来价格普涨行情,为明年春季行情走势奠定基调。

LPDDR4X供应大幅收缩带来的涨价效应还在发酵中,预计三季度LPDDR4X价格上涨空间还将进一步扩大,对以中低端手机为业务基本盘的手机厂商的冲击将更加强烈,进而压缩相关产品毛利率。

AI驱动以HBM3E和高容量DDR5为代表的高价值DRAM需求持续增长,以及二季度存储原厂EOL通知刺激传统DDR4/LPDDR4X价格与需求快速攀升的双重驱动下,2025年二季度全球DRAM市场规模环比增长20%至321.01亿美元,创历史季度新高。

简讯快报

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