采用3D TLC,支持PCIe Gen4 x4通道,NVMe 1.4协议规范,读取速度将可达到6.3GB/s。KIOXIA 2020-11-10
采用3D TLC、自研G2主控,支持PCIe4.0接口,提供500GB/1TB/2TB三种容量选择。WD/SanDisk 2020-10-09
采用三星1XX层 TLC NAND闪存,PCIe Gen 4X4接口,提供1TB, 500GB, 250GB三种容量选择。Samsung 2020-09-23
采用PCIe Gen4x4 传输接口,兼容 NVMe 1.4 标准,M.2 2280 规格,连续读写速度最高可达每秒 7400/6400MB。Adata 2020-09-22
基于Xtacking技术,采用SATAIII接口,提供2.5英寸和M.2两种外形尺寸。YMTC/ZHITAI 2020-09-10
基于Xtacking技术,采用PCIe Gen3x4接口,搭配512MB至1GB DRAM缓存,提供256GB、512GB和1TB容量选择。YMTC/ZHITAI 2020-09-10
采用128层NAND闪存,PCIe NVMe Gen3接口,提供500GB和1TB容量选择,M.2 (2280)规格形态。SK Hynix 2020-08-19
采用第二代QLC,SATA接口,具有高达8TB的容量。Samsung 2020-07-01
采用BiCS4 96层TLC,容量最高达15.36TB,可同时提供PCIe 3.0 x4单接口或者PCIe 3.0 x2+x2双接口。WD/SanDisk 2020-06-28
采用的是96层BiCS 3D TLC闪存,提供顺序读取速度最高达4300MB/s,2.5英寸规格,提供30.72TB容量。KIOXIA 2020-06-16
采用96层QLC,提供从256GB到2TB容量,实现最高3300MB/s的顺序读取和最高2700 MB/s的顺序写入速度。Micron 2020-05-13
采用96层QLC,提供从512GB到2TB的容量,实现最高2200MB/s的顺序读取和最高1,800 MB/s的顺序写入速度。Micron 2020-05-13
支持NVMe协议,PCIe Gen 4接口规范,采用三星第六代V-NAND(128层3D NAND),容量范围将从960 GB到7.68 TB。Samsung 2020-05-13
采用96层和128层TLC,支持NVMe1.4协议和PCIe Gen 3X4、4X4接口。SK Hynix 2020-04-08
采用了支持 PCIe Gen3 x4 通道的SMI 2262EB 主控 + 96 层 3D TLC,提供250GB / 500GB / 1TB / 2TB 容量选择Kingston 2020-04-08
国家集成电路设计深圳产业化基地市场平台 中国闪存市场 客服邮箱:Service@ChinaFlashMarket.com
Copyright©2008-2021 深圳市闪存市场资讯有限公司 版权所有 粤ICP备08133127号-2