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  • 2026-07-12 03:45

三星最新消息

新工厂将生产基于先进工艺技术的产品,用于移动、5G、高性能计算 (HPC) 和人工智能 (AI) 等领域。

H-Cube封装解决方案适用于需要集成大量硅片的高性能芯片。通过扩大和丰富代工生态系统,三星将提供丰富的封装解决方案,帮助客户突破挑战。

为积极响应5G时代市场对更高容量移动DRAM的需求,三星开发出16Gb(千兆)的单芯片容量,并将移动DRAM封装的总容量扩大至64GB。

根据最新DDR5标准,三星的14纳米DRAM将有助于释放出之前产品所未有的速度:高达7.2Gbps,比DDR4的3.2Gbps快两倍多。

三星半导体数据中心平台、战略、业务和产品规划集团副总裁Cheolmin Park朴喆民先生即将亮相CFMS2021,阐述三星在技术产品研发以及市场布局方面的新规划,敬请期待!

三星指出,由于二季度NAND Flash和DRAM出货量均强于预期,因此,当前库存水位都处于相当低的水平。

合并营业利润约12.5万亿韩元,比第一季度的9.38万亿韩元增长33.3%,比2020年同期的8.15万亿韩元增长53.4%。

三星发布了最新多芯片封装uMCP产品,其中内存部分为LPDDR5,NAND闪存部分是支持最新接口UFS 3.1的最高规格解决方案。

据韩媒报道,近日业内人士表示,三星电子正在积极推动第七代V-NAND闪存芯片(176层)的应用,并计划在今年下半年推出一款基于第七代V-NAND闪存芯片的消费类SSD。另外,三星还计划将该款芯片扩展至数据中心SSD产品当中。

投资机构预估三星2021年第二季度的销售额将达62兆韩元,环比下滑5.1%,营业利润将达11.3兆韩元,环比却将增长20.6%,高于市场分析预期。

三星电子宣布推出基于 ZNS(Zoned Namespace,分区命名空间)技术的新企业级SSD— PM1731a,该新ZNS SSD计划在下半年开始量产,大容量的SSD将满足数据中心、云计算/云数据等环境下不断增长的存储需求。

三星电子宣布三款电源管理芯片,分别为:S2FPD01,S2FPD02,S2FPC01,能够最大限度提高DDR5模块性能,并最大程度降低功耗。

三星宣布已经在平泽新建新的产线,将于2022年下半年完工,将采用EUV设备,批量生产14nm DRAM和5nm逻辑芯片产品。

三星电子宣布业内首款支持Compute Express Link(CXL)互连标准的存储模块,该模块与三星的DDR5技术集成,使得服务器系统能够显著扩展内存容量和带宽,加速数据中心的人工智能(AI)和高性能计算(HPC)工作负载。

三星电子宣布,其下一代2.5D封装技术Interposer-Cube4(I-Cube4)即将上市,包含4个HBM和一个逻辑芯片,三星还将尽快研发出搭载6个、8个HBM的新技术,推向市场。

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