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据韩媒报道,近日业内人士表示,三星电子正在积极推动第七代V-NAND闪存芯片(176层)的应用,并计划在今年下半年推出一款基于第七代V-NAND闪存芯片的消费类SSD。另外,三星还计划将该款芯片扩展至数据中心SSD产品当中。
投资机构预估三星2021年第二季度的销售额将达62兆韩元,环比下滑5.1%,营业利润将达11.3兆韩元,环比却将增长20.6%,高于市场分析预期。
三星电子宣布推出基于 ZNS(Zoned Namespace,分区命名空间)技术的新企业级SSD— PM1731a,该新ZNS SSD计划在下半年开始量产,大容量的SSD将满足数据中心、云计算/云数据等环境下不断增长的存储需求。
三星电子宣布三款电源管理芯片,分别为:S2FPD01,S2FPD02,S2FPC01,能够最大限度提高DDR5模块性能,并最大程度降低功耗。
三星宣布已经在平泽新建新的产线,将于2022年下半年完工,将采用EUV设备,批量生产14nm DRAM和5nm逻辑芯片产品。
三星电子宣布业内首款支持Compute Express Link(CXL)互连标准的存储模块,该模块与三星的DDR5技术集成,使得服务器系统能够显著扩展内存容量和带宽,加速数据中心的人工智能(AI)和高性能计算(HPC)工作负载。
三星电子宣布,其下一代2.5D封装技术Interposer-Cube4(I-Cube4)即将上市,包含4个HBM和一个逻辑芯片,三星还将尽快研发出搭载6个、8个HBM的新技术,推向市场。
三星发布支持SAS-4标准的企业SSD--「 PM1653」,是业界首款支援24Gb SAS界面或SAS-4 规格的企业级SSD,搭载第六代的V-NAND,传输速度是上一代产品12Gb SAS 或SAS-3 的两倍。
三星2021年Q1财报表现增长,首先受惠于DRAM和NAND Flash市况,不仅中国手机客户需求和配备容量需求增长,而且数据中心需求在预期经济复苏的带动下,正在逐渐恢复动能。
三星DRAM计划小组副总裁Young-Soo Sohn表示,正在与英特尔等工程团队密切合作,凭借快速、节能的DDR5产品,不断优化服务器存储架构,提高性能。
二期二阶段项目建设工作正在稳步推进,预计2021年年中建成投产,二期满负荷投产后,闪存芯片产能将占到三星电子全球同类产品产量的40%。
与此前推出的970 EVO相比,SSD还具有高达56%的提高的电源效率,使笔记本电脑用户可以更好地管理电源使用情况。
全球芯片供应持续紧缺,也包括存储芯片在内的资源也供不应求,因此三星正在考虑加紧对DRAM产量的提升。
PM9A3采用三星第六代(1xx层)V-NAND构建,与基于第五代基于V-NAND的PM983a(M.2)相比,连续写入速度提高了两倍,达到3000MB/s, 随机读取速度提高40%至750K IOPS,随机写入速度提高150%至160K IOPS。
三星关于HBM-PIM的论文已被选中在国际固态电路虚拟会议(ISSCC)上进行演示。验证工作有望在今年上半年完成。