消息称三星与英伟达联合研发下一代NAND闪存

存储器 2026-03-13 16:35

据韩媒援引业内人士消息称,三星电子正在与英伟达合作加速开发下一代NAND闪存芯片。三星半导体研究院、 英伟达和佐治亚州理工学院的联合研究团队开发出一种“物理信息神经算子(PINO)”的模型,能以比传统方法快10,000倍以上的速度分析铁电基NAND器件的性能。该研究成果已于6日在学术界发表。基于相关研究成果,三星正与英伟达合作开发和商业化铁电NAND闪存。

简讯快报

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