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三星电子目前正在开发基于鳍式场效应晶体管（FinFET）结构的14nm eMRAM，目标是在2024年推出。三星计划到2026年将其eMRAM产品组合升级为8nm产品，到2027年将其eMRAM产品组合升级为5nm产品。
三星电子今天公布了 2023 年第三季度的盈利预期，预计合并销售额约67万亿韩元，综合营业利润约2.4万亿韩元。
基于LPDDR的LPCAMM将引领计算机的下一代内存模组市场，并有望应用于数据中心。与 So-DIMM相比，LPCAMM性能提高50%，能效提高70%，面积缩小60%，预计将于2024年实现商业化。
990 PRO 系列的1TB和2TB型号现已上市，4TB 容量型号将于10月上旬上市。
通过使用最新开发的32Gb内存颗粒，即使不使用硅通孔(TSV)工艺也能够生产128GB内存模组。与使用16Gb内存封装的128GB内存模组相比，其功耗降低了约10%。
全新PRO Ultimate 系列采用新型28nm控制器，与此前采用55nm控制器的产品线相比，能效提高了37%。顺序读取速度为200MB/s，写入速度为130MB/s。
据韩媒报道，三星电子将于当地时间10月20日在美国加利福尼亚州圣何塞的McEnery会议中心举办“内存技术日”。
与上一代产品相比，PM9D3a系列SSD随机性能提高了1.8倍，能效提高了1.6倍。
芯驰科技将在全场景车规芯片的参考方案开发中引入三星半导体的高性能存储芯片，共同推进双方在车载领域的技术创新与突破。
三星最新32Gbps GDDR7将进一步强化人工智能、高性能计算和汽车等的应用能力，与上一代24Gbps GDDR6相比，GDDR7性能提升1.4倍，能效提高20%
为满足客户的不同需求，三星的UFS 3.1将提供128GB、256GB和512GB三种容量。在未来的汽车（电动汽车或自动驾驶汽车）应用中，增强的产品阵容能够更有效地管理电池寿命。其中，256GB容量的产品，功耗较上一代产品降低约33%。
三星电子今日披露初步核实数据，预估2023年第二季度销售额为60万亿韩元，同比下滑22.3%，环比下滑6%；营业利润为0.6万亿韩元，同比下滑95.7%，环比下滑6%。
此次更换代工厂和DRAM内存开发负责人，被解读为通过人员更新刺激下一代技术开发的举措。
为更好响应客户需求，三星晶圆代工通过新增生产线，实现其在投资和建设产能方面的承诺。三星计划，到2027年，产能较2021年扩大7.3倍。
与上一代产品相比，三星最新的12纳米级DDR5 DRAM功耗降低了23%，晶圆生产率提高了20%。出色的能效表现，使它能够成为全球IT企业的服务器和数据中心节能减排的优秀解决方案。
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