据韩媒报道，高通与三星电子晶圆代工业务的新一轮半导体合同制造协议谈判因在价格方面出现分歧而陷入僵局。此次移动芯片代工谈判聚焦于三星晶圆代工的 2nm 节点。三星晶圆代工近来收获大量订单，先进制程产能处于供不应求的状态，因此缺乏为高通提供低价的动力。此外，据称谈判订单规模较小，“不值得”三星晶圆代工大幅降价。

据韩媒报道，三星电子在日本横滨举行了“先进封装实验室（APL）”的开幕仪式。约100人出席了此次活动，其中包括三星电子、日本政府和地方市政当局的代表以及当地合作伙伴公司的代表。三星电子计划从2024年开始，在未来五年内投资约400亿日元（约合17.45亿元人民币），用于扩建APL的研究基础设施并开发先进的封装技术。公司还计划稳步增加研发人员，力争在明年之前将研发人员规模扩大到100人以上。

据韩媒报道，得益于2纳米工艺订单的持续涌入，在特斯拉和博通等美国科技企业的巨额订单推动下，三星电子位于美国德克萨斯州泰勒的晶圆厂将于本月底下月初开始试生产，目前已达到满负荷运转，所有计划产量均已预订完毕。据悉，2纳米工艺的良率今年年初约为60%，而近期已达到80%左右，具备量产能力，该厂拟于明年开始量产。

三星电子与ASML宣布扩大战略合作。三星将加入推动12英寸光罩技术发展的行业合作计划，并计划于2028年前首次将ASML高数值孔径（High NA）极紫外光刻（EUV）技术用于DRAM大规模生产。

据韩媒报道，三星HBM4 采用4nm 工艺制造基础裸片，其旗下负责芯片制造业务的三星晶圆代工部门 4nm 工艺预计有约一半的整体产能将用于生产 HBM4 基础裸片。

据韩媒ChosunBiz援引业内人士消息，SK海力士1c DRAM的比重从今年第一季度的10%左右增长到第二季度的13%左右，预计第三季度将增长到24%左右，第四季度将增长到34%左右。预计明年第一季度1c DRAM占比将达到35%左右，首次超过1b（33%左右）成为主流工艺。此外，不同于三星自HBM4阶段开始应用1c DRAM，SK海力士出于优先考虑量产稳定性将在HBM4中采用成熟的1b DRAM，并在HBM4E中首次应用1c DRAM。

2026年二季度，由于全球NAND Flash市场在AI需求的拉动下仍然存在供给缺口，原厂继续保有强劲的议价权，带动产品平均售价（ASP）大幅增长，且价格涨幅显著跑赢出货量增长。量价共振下，二季度原厂NAND Flash销售收入环比均延续增长态势。据CFM闪存市场分析，2026年二季度全球NAND Flash市场规模持续增长，较一季度环比增长73.1%至767.76亿美元。

具体来看，三星二季度NAND ASP市场份额27.5%，排名稳居第一；SK海力士市场份额18.5%，排名第二；长江存储市场份额15.0%，排名第三；铠侠市场份额14.4%，排名第四；美光（2026年3-5月）市场份额13.0%，排名跃居第五；闪迪市场份额11.7%，排名第六。

9月7日，日韩股市集体高开。截至发稿，韩国综合股价指数（KOSPI）涨超2%，日经225涨超2%。个股方面，三星电子涨超3%，SK海力士涨超5%。

据CFM闪存市场数据，2026年二季度全球DRAM市场规模1470.24亿美元，环比增长55.9%，创历史新高。

具体来看，

三星二季度DRAM销售收入达591.18亿美元，环比增长54.7%，市场份额为40.2%，稳居第一宝座；

SK海力士二季度DRAM销售收入达384.34亿美元，环比增长37.6%，市场份额为26.1%，排名第二，DRAM价格涨幅被出货比重仍较高的HBM部分抵消，环比增幅低于其他厂商；

美光二季度（2026年3月-5月）DRAM销售收入达313.28亿美元，环比增长66.9%，市场份额21.3%，排名第三；

长鑫存储二季度DRAM销售收入达145.45亿美元，环比增长99%，市场份额已逼近10%，排名第四，主要是由于占据其供应比重主要份额的mobile LP4X/5X价格涨幅领跑其他应用市场，DRAM销售收入环比增幅位列第一；

南亚科技二季度DRAM销售收入为25.99亿美元，环比增长68%，市场份额1.8%；

华邦电子二季度DRAM销售收入为10亿美元，环比增长77.8%，市场份额0.7%。

澜起科技最新投资者关系活动记录表显示，该司7月在业界率先试产CXL3.2MXC芯片并成功导入三星、SK海力士下一代CXL产品，预计2027年进入CXL规模商用元年。PCIeSwitch芯片预计年内完成工程样片流片，PCIe6.x/CXL3.xRetimer芯片已完成量产版本流片并列入PCI-SIG供应商名录，计划今年完成PCIe7.0Retimer及以太网PHYRetimer芯片工程样片流片。DDR5第六子代RCD芯片已送样，支持速率达9200MT/s，第五子代开始规模出货，第三四子代合计出货占比突破50%。第二子代MRCD/MDB芯片处于规模试用阶段，大规模上量需等待新一代CPU明年量产。时钟芯片已收到量产订单，高精度RTC芯片预计下半年完成工程样片流片。AI服务器CPU配置比例提升将带动内存模组及互连芯片需求增长。