据韩媒The Bell报道，SK海力士已于上月底开始向英伟达出货12层HBM4的量产产品，并进入了“ ramp-up”（扩大量产规模）阶段。这是HBM4首次以完成所有质量认证的最终规格，供应给英伟达下一代AI平台“Vera Rubin”。此前供应的货量均被归类为样品。据悉，SK海力士在量产出货的时间节点上，也已完成了与英伟达就明年HBM4价格的谈判，其价格因成本优势低于三星。以上月底向英伟达供货为开端，SK海力士本月起也已开始向AMD出货8层HBM4产品。SK海力士预计从下半年起逐步增加HBM4的货量，预计在第四季度，HBM4在其整体HBM销售占比中将超越HBM3E。

据韩媒报道，特斯拉-三星AI5芯片已完成流片。该项目的设计已经最终定稿，产品将在位于德克萨斯州泰勒市的工厂采用先进的2纳米（nm）工艺进行生产。此次确认的生产工艺是三星独家版本，与特斯拉CEO埃隆·马斯克4月份宣布的设计流片方案不同。据悉，泰勒工厂将于2026年底开始初步运营，并于2027年开始全面出货；AI5的工程样机将于2026年底发布，量产计划于2027年开始。

日经225指数收跌1.92%，报67242.73点；韩国综指收跌8.96%，报6805.88点，本月至今已累跌近20%。个股方面，三星电子跌10.7%，SK海力士跌15.37%，铠侠跌12.86%。

7月13日，日韩股市双双低开。截至发稿，韩国KOSPI指数跌超5%；日经225指数跌超1%；个股方面，三星电子跌超4%，SK海力士、铠侠跌超8%。

据媒体报道，三星电子正着手将其龙仁芯片集群首座半导体工厂的投产时间提前至2029年，比原计划提早一至两年。早在6月29日，三星公布投入2030万亿韩元)的大规模投资计划，涵盖平泽园区、龙仁工业园区，以及在湖南、忠清和岭南地区追加的625万亿韩元投资。

据外媒报道，为解决功耗和散热问题，三星正重点研发“2.xD”封装技术。据介绍，2.xD在现有基于硅中介层的封装基础上，通过应用基于面板的重分布层（RDL）中介层，将HBM、逻辑芯片和硅光子（光半导体）技术集成到单个系统中，将发展成为用于人工智能数据中心的高容量、高带宽系统封装。

据外媒报道，美国商务部长霍华德·卢特尼克表示，他希望三星电子和SK海力士能够扩大其在美国的半导体生产设施。卢特尼克在出席美光纽约州克莱工厂的混凝土浇筑仪式时表示：“我希望把美光的竞争对手三星电子和SK海力士带到美国建厂。既然美光走在了前列，竞争对手就会心生嫉妒，最终不得不效仿。”对此，三星和SK海力士均回应称，“目前尚未进行任何具体讨论”。两家公司表示，如果条件允许，他们会考虑扩大在美国的生产设施。

据外媒援引一份内部备忘录报道，为应对零部件短缺，Meta计划于9月开始生产其最新版本的AI专用芯片（Iris），以降低GPU成本。公司计划明年将计算能力翻倍至14吉瓦。据悉，Meta正与博通合作进行芯片设计，将从三星采购内存，从闪迪采购闪存，从住友电工采购光纤设备，并委托台积电进行生产。

据韩媒报道，三星电子正在研发一款名为“GAIA”的AI芯片，用于AI PC。GAIA采用4纳米工艺制造，被认为是一种“以内存为中心的AI加速器”，将计算功能置于靠近内存的位置。不同于配备图形处理器（GPU）的AI加速器，GAIA专门用于AI计算，并采用优化的神经网络处理器 (NPU) 结构。目前，三星电子正在向联想和惠普等AI PC制造商提供GAIA芯片，以验证其性能。

据韩媒报道，Neosem宣布与三星电子签署合同，为其提供CLT内存测试仪。该合同价值86亿韩元，相当于Neosem 2025年合并营收的13.5%。根据合同金额，预计每套系统的售价将在20亿韩元以上。CLT是一款新一代腔体式低频存储器测试仪，用于验证DRAM在老化测试后的二次稳定性。该系统能够精确评估DRAM器件的低速数据读写操作、空闲状态稳定性以及长期可靠性。三星电子一直在使用Neosem和Exicon的CLT测试仪，作为其供应商多元化战略的一部分，同时确保不同制造商的设备之间CIB（集成芯片）的互换性。