Marvell 88SS1074 SSD控制芯片
Marvell 88SS1074 SSD控制芯片

采用28nm工艺制造，支持1znm TLC NAND Flash，支持SATA 6Gbps存储。

美满 2014-05-27
Marvell 88SS1083 SSD控制芯片
Marvell 88SS1083 SSD控制芯片

采用28nm工艺制造，支持1znm NAND Flash，支持PCIe 2.0 x2取代SATA 6Gbps存储。

美满 2014-05-21
3S SD3.0规范SD控制芯片
3S SD3.0规范SD控制芯片

3S的SSS5530 SD控制芯片符合SD3.0规范，支持三星、东芝/Sandisk、美光、SK Hynix MLC/TLC Flash。

鑫创 2014-05-15
Phison eMMC 5.0控制芯片
Phison eMMC 5.0控制芯片

群联eMMC 5.0控制芯片

群联 2014-03-18
3S eMMC 控制芯片
3S eMMC 控制芯片

3S闪存盘控制ICSSS6130和SSS6131，支持USB 3.0传输接口，TLC或MLCNAND Flash。

鑫创 2014-03-14
SSD控制芯片
SSD控制芯片

慧荣SSD控制芯片可支持三星、东芝/SanDisk/SK Hynix/美光 MLC NAND，以及SATA 6Gb/s接口传输。

慧荣 2013-09-25
闪存卡主控芯片
闪存卡主控芯片

慧荣闪存卡主控芯片支持双信道的高效能，支持三星、东芝/Sandisk、美光、SK Hynix等TLC/MLC NAND。

慧荣 2013-09-21
Phison USB 控制芯片
Phison USB 控制芯片

群联的 PS2251-01是一颗支持超高速的USB 3.0-to-Flash微控制芯片，可支持3X/2X奈米的闪存。PS2251-01可向下

群联 2013-09-21
Skymedi USB Flash Disk控制芯片
Skymedi USB Flash Disk控制芯片

Skymedi USB Flash Disk控制芯片支持三星、东芝/Sandisk、美光、SK Hynix等NAND Flash。

擎泰 2013-09-19
Phison SD控制芯片
Phison SD控制芯片

Phison微控制IC为SD卡的嵌入式NAND应用所设计，都内建Enhanced BCH ECC

群联 2013-09-18
Skymedi eMMC 控制芯片
Skymedi eMMC 控制芯片

Skymedi控制芯片SK6818符合eMMC5.0标准，支持三星、东芝/Sandisk、美光、SK Hynix1x/1y MLC/TLC NAND。

擎泰 2013-09-11
Phison CF控制芯片
Phison CF控制芯片

Phison PS3016-P9 CF/IDE-to-Flash 微控制IC乃特别为CF card, IDE / PATA SSD, IDE module 与嵌入式NAND应

群联 2013-09-11
Phison eMMC 4.41/4.5控制芯片
Phison eMMC 4.41/4.5控制芯片

群联PS8210型号的eMMC控制芯片采用55nm制程技术，支持eMMC 4.5版本规格

群联 2013-09-11
Phison SSD 控制芯片
Phison SSD 控制芯片

Phison PS3109 SATA-to-Flash 微控制IC乃特别为SATA module 与嵌入式NAND应用所设计

群联 2013-09-09
U盘主控芯片
U盘主控芯片

支持USB2.0或USB3.0接口传输，支持三星、东芝/Sandisk、美光、SK Hynix1x/1y MLC/TLC NAND。

慧荣 2013-09-05

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厂商快讯

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⊙01-14 10:21

1月13日，佰维存储发布公告，预计2025年度实现营业收入100亿元-120亿元，同比增长49.36%-79.23%；预计2025年度归母净利润8.5亿元-10亿元，同比增长427.19%-520.22%。

⊙01-13 17:15

希捷正式推出三款 32TB CMR 机械硬盘，覆盖企业级 Exos 银河、监控 SkyHawk 酷鹰 AI、NAS 存储 IronWolf 酷狼 Pro 三条产品线。以上三款产品均基于希捷Mozaic HAMR（热辅助磁记录）技术平台，并针对应用场景进行了优化。

⊙01-13 10:09

据韩媒报道，三星电子正在评估韩国SNS Tech公司提供的EUV空白掩模，目标是在第二季度投入使用。目前正处于掩模评估的最后阶段，目标是在本月或下个月完成评估。三星电子一直以来都依赖进口EUV光刻掩模版，对日本的依赖程度尤其高，Hoya和Asahi Glass占据了三星大部分的供应。

⊙01-12 10:17

通富微电公告，拟定增募资资金总额不超过44亿元，募集资金扣除发行费用后拟用于存储芯片封测产能提升项目、晶圆级封测产能提升项目、高性能计算及通信领域封测产能提升项目，分别投入募集资金8亿元、10.55亿元、6.95亿元和6.2亿元。此外计划将12.3亿元用于补充流动资金及偿还银行贷款。

⊙01-09 16:18

群联2025年12月合并营收87.12亿元（新台币，下同），环比增长24％，同比增长93％，刷新历史单月新高；全年合并营收达726.64亿元，同比增长23％，同创历史同期新高。群联表示，上月整体营运表现持续升温，控制芯片总出货量年增97％。其中，PCIe SSD控制芯片出货量同比增长15％，显示新一代高速接口渗透率持续扩大；NAND Bit Growth同比增长16％，凸显云端服务商拉货带动NAND需求走扬，并衍生近期NAND涨价与供给吃紧的市况。

⊙01-09 15:25

力成2025年12月营收72.96亿元（新台币，下同），环比增长2.19%，同比增长30.52%，创2022年8月以来单月高点；2025年第四季营收214.07亿元，环比增长7.21%，同比增长25.21%；累计2025年全年营收749.29亿元，同比增长2.20%，创下三年来新高纪录。

⊙01-08 18:12

高通首席执行官安蒙确认，高通确认正与三星电子就2纳米芯片代工合作进行洽谈，三星将有望时隔五年再次获得高通最先进芯片的代工订单，相关芯片设计工作已全部完成。首个合作项目可能是将目前骁龙8 Elite处理器（由台积电3纳米制程代工），转向三星2纳米制程生产。

⊙01-08 14:30

美光宣布，将于2026年1月16日正式在纽约州奥农达加县破土动工兴建其巨型晶圆厂。该项目耗资1000亿美元，是纽约州历史上规模最大的私人投资项目，建成后将成为全球最先进的存储器制造基地，美国最大的半导体工厂。

⊙01-08 10:49

美光宣布推出美光3610 NVMe™ SSD，是业界首款面向客户端计算的PCIe®5.0 QLC SSD，基于久经市场考验的美光G9 NAND 打造，顺序读取速率高达11,000 MB/s，顺序写入速率高达9,300 MB/s，专为主流台式机和笔记本电脑设计。

⊙01-08 10:05

三星电子公布其2025年第四季度的盈利预期，预计营收为93万亿韩元（约合641亿美元），环比增长8%，同比增长23%；营业利润为20万亿韩元（约合138亿美元），环比增长64%，同比增长208%，创历史新高。三星电子将于1月29日披露完整版业绩报告。

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