闪存卡主控芯片

慧荣闪存卡主控芯片支持双信道的高效能，支持三星、东芝/Sandisk、美光、SK Hynix等TLC/MLC NAND。

产品分类：控制芯片 品牌：慧荣
应用领域： 超极本 笔记本 SD Micro SD
产品白皮书 发布于：2013-09-21
闪存卡主控芯片 共5个产品
型号 标准 Flash通道 ECC支持 封装 电压 其它特点
SM2683EN SD2.0 1-CH Configurable BCH ECC LGA48/Die 3.3V -
SM2685 SD2.0 1-CH Configurable BCH ECC LGA46/Die 3.3V -
SM2702 SD3.01 2-CH Configurable BCH ECC LGA46/Die 3.3V/1.8V -
SM2232EN CF6.0 2-CH Configurable BCH ECC TQFP128 5V/3.3V ONFI 2.x High speed flash & Toggle mode flash support
SM2236 CF6.0 4-CH Configurable BCH ECC TFBGA144 5V/3.3V 1000X High speed CF

产品概览

          Silicon Motion提供一系列兼具成本效益与高效能的闪存卡主控芯片，支持规格含括CompactFlash、Secure Digital、miniSD及microSD。OEM厂商采用Silicon Motion的主控芯片能确保产品的高兼容性并加速上市脚步。

Silicon Motion闪存卡主控芯片支持ISP（In-System-Programming）功能，无需经过制程变更即可支持最新型的NAND型闪存、提供客制化的功能或是为客户解决兼容性的问题。此外，Silicon Motion闪存卡主控芯片支持各大厂所生产的各式闪存，包括三星 (Samsung) 、东芝 (Toshiba) 、新帝(SanDisk)、SK海力士(SK Hynix)、美光(Micron) 、英特尔(Intel)的SLC、MLC及TLC闪存，让客户们可以更有弹性地选用不同型态、世代或厂商所生产的闪存，以满足其开发高阶或低价产品的多元化应用需求，降低生产成本并加速上市脚步。另外，Silicon Motion闪存卡主控芯片通过2000台以上的实机测试，兼容性堪称业界第一。

特色

支持双信道的高效能闪存主控芯片

支持ISP（In-System-Programming）功能─无需经过制程变更即可解决兼容性问题

弹性的闪存组态设定

支持8位/16位闪存接口

强化ESD设计

先进的嵌入式除错引擎(ECC Engine)

内部电压侦测电路系统

应用

CF卡

各式SD卡，如SD、miniSD、microSD

嵌入式应用

模块图

SM2685 

同品牌新品 更多

同分类新品 更多

慧荣

报价中心

厂商新品

更多

厂商快讯

更多
⊙03-17 14:50

在NVIDIA GTC 2026 大会上，三星全面展示了其在AI计算领域的技术布局，展出了从高性能内存到面向个人设备的低功耗解决方案的全系产品。三星首次展示了其下一代HBM4E内存。该产品每引脚传输速度可达16Gbps，带宽高达4.0 TB/s。此外，三星还展出了其混合铜键合（HCB）技术，这项新技术将使下一代HBM能够实现16层或更多堆叠，同时与热压键合相比降低20%以上热阻。

⊙03-17 14:30

据外媒报道，韩国SK集团董事长崔泰源表示，由于人工智能驱动的需求持续超过供应，全球芯片晶圆短缺的情况可能会持续到2030年。在加州圣何塞举行的英伟达GTC大会间隙，崔泰源接受记者采访时表示，SK海力士正在考虑在美国上市ADR，以扩大其全球投资者基础；同时，其首席执行官可能会公布稳定DRAM芯片价格的计划，集团也正在探索替代能源。

⊙03-17 09:39

当地时间3月16日，美光在官网宣布公司已于2026年第一季度开始批量出货其HBM4 36GB 12H内存。该产品专为NVIDIA Vera Rubin平台设计，实现了超过11Gb/s的引脚速度，带宽超过2.8TB/s。相比其上一代HBM3E，带宽提升了2.3倍，能效提升超过20%。为了进一步提升HBM立方体的容量，美光将16颗HBM芯片堆叠在一起，并已向客户交付了HBM4 48GB 16H的样品。与HBM4 36GB 12H产品相比，每颗HBM芯片的容量提升了33%。

⊙03-16 10:08

美光近日宣布，已完成对力积电位于中国台湾苗栗县铜锣乡的P5晶圆厂收购案，交易金额18亿美元。该厂拥有约30万平方英尺12英寸晶圆厂无尘室，将用于支持美光扩大包括HBM在内的先进DRAM产品供应，以满足人工智能驱动的市场需求。美光计划于2026财年底前启动第二座晶圆厂建造工程，再增27万平方英尺无尘室空间，预计2028财年起可支持规模出货。力积电在移交设施的同时，将依约为美光提供HBM后段晶圆制造代工，并推进存储器制程技术合作。这一战略转型有望为力积电3D AI代工新事业注入强劲成长动能。

⊙03-13 17:53

据韩媒援引业内人士消息称，三星电子正在评估将2nm工艺技术应用于第七代HBM4E的基片，从而提升其技术竞争力。这种涵盖存储器、逻辑和封装的架构正成为AI半导体时代的关键优势。

⊙03-13 16:35

据韩媒援引业内人士消息称，三星电子正在与英伟达合作加速开发下一代NAND闪存芯片。三星半导体研究院、 英伟达和佐治亚州理工学院的联合研究团队开发出一种“物理信息神经算子（PINO）”的模型，能以比传统方法快10,000倍以上的速度分析铁电基NAND器件的性能。该研究成果已于6日在学术界发表。基于相关研究成果，三星正与英伟达合作开发和商业化铁电NAND闪存。

⊙03-12 17:35

群联旗下企业级应用品牌PASCARI博思锐已在电商平台开设店铺，首款上架产品为数据中心级SATA固态硬盘SA53P，搭载国产3D TLC NAND闪存。该产品采用标准2.5英寸外形规格，厚度7mm，拥有1DWPD的耐久等级，顺序读写速度分别可达530MB/s和500MB/s，随机读写性能分别为98K IOPS和39K IOPS，并提供5年有限保修服务。据悉，目前上架的PASCARI SA53P固态硬盘包含480GB/960GB/1920GB/3840GB四种容量版本。

⊙03-10 15:52

据外媒报道，三星电子正面临成立以来最大规模的罢工危机。由于薪资谈判最终破裂，代表约8.9万名员工（占公司总人数60%以上）的三星电子工会联合斗争本部宣布，将于3月9日至18日举行全员罢工投票，若投票通过，工会计划在4月23日举行成员集会，并于5月21日至6月7日举行为期18天的全国总罢工。目前三星正全力为英伟达下一代AI加速器供应HBM4内存，5月的罢工节点极可能打乱出货节奏，导致良率下降或产出减少。

⊙03-10 14:04

3月10日，SK海力士宣布，已成功开发基于第六代10nm级（1c）工艺的16Gb LPDDR6 DRAM内存产品，专为搭载端侧AI的智能手机、平板等移动设备设计。该产品于今年1月CES展会首次亮相，目前已完成全球首个1c工艺LPDDR6开发验证，计划上半年完成量产准备，下半年正式供货。相较于上一代LPDDR5X，其数据处理速度提升33%，功耗降低20%以上，将大幅优化移动设备AI体验与续航表现。

⊙03-09 17:50

群联电子公布2025年第四季合并财报暨2月营收公告。2025年第四季，公司合并营收达新台币227.99亿元（折合人民币约49.52亿元），同比增长81.3%，创单季历史新高；本期净利新台币46.29亿元（折合人民币约10.05亿元），同比增长93.6%。2025年全年，公司合并营收达新台币726.64亿元（折合人民币约157.83亿元），同比增长23.3%；净利新台币87.41亿元（折合人民币约18.99亿元），同比增长9.9%。2026年2月，当月合并营收为新台币121.98亿元（折合人民币约26.49亿元），同比飙升170%；1-2月累计营收为新台币226.5亿元（折合人民币约49.20亿元），同比增长180%，均刷新历史同期新高。

厂商动态

更多

最新财报

更多