DDR5 Value RDIMM
DDR5 Value RDIMM

SMART Modular初期规划的DDR5模块产品系列包含16-64GB的 RDIMMs、UDIMMs及 SODIMMs。

世迈科技 2021-02-10
SMART DDR5 RDIMM
SMART DDR5 RDIMM

SMART Modular初期规划的DDR5模块产品系列包含16-64GB的 RDIMMs、UDIMMs及 SODIMMs。

世迈科技 2021-02-10
DDR4 UDIMM ECC
DDR4 UDIMM ECC

DDR4 UDIMM ECC模块内置错误校正编码，可以侦测并修正常见的内部数据毁损问题。

世迈科技 2020-11-20
DDR4 NVDIMM
DDR4 NVDIMM

DDR4 NVDIMM 搭载 SafeStor? 技术，可在接收主机控制器的指令后，开始自动备份及恢复的动作。

世迈科技 2020-09-22
DDR4 ULP UDIMM ECC
DDR4 ULP UDIMM ECC

DDR4 ULP UDIMM ECC可垂直使用，让系统容量可扩充至最大；并内置错误校正，可以检测并修正常见的内部数据损

世迈科技 2020-05-21
DDR4 MIP
DDR4 MIP

DDR4 MIP是一款结合SODIMM标准与SMART独家堆栈技术而研发的超小型存储模块。

世迈科技 2020-04-08
BIWIN内存条V200 U-DIMM
BIWIN内存条V200 U-DIMM

佰维V200 DDR4 U-DIMM符合JEDEC标准设计，使用三星原厂DRAM，可提供2133MT/s~3200MT/s速度方案。

佰维存储 2020-03-11
BIWIN内存条S200 SO-DIMM
BIWIN内存条S200 SO-DIMM

佰维S200 DDR4 SoDIMM使用三星高品质颗粒，可提供2133MT/s~3200MT/s速度方案。

佰维存储 2020-03-11
Micron DDR5 Part Catalog
Micron DDR5 Part Catalog

美光DDR5内存提供高达5倍的性能，可满足数据中心AI、HPC和企业工作负载中CPU内核的持续增长

美光 2020-01-06
DDR4 ULP Mini-RDIMM
DDR4 ULP Mini-RDIMM

Mini DIMM 可提供额外电力和引地脚以达到更好的信号完整性及可靠度，适用于电信、网通和嵌入式运算等应用。

世迈科技 2019-09-25
DDR4 RDIMM
DDR4 RDIMM

相较于无缓冲的DIMM，RDIMM能处理大容量的高速内存模组所产生出来更吃力的电力负载量。

世迈科技 2019-08-12
DDR4 SODIMM
DDR4 SODIMM

SODIMM 内存模块有别于一般标准模块，提供较小尺寸，大小约为一般DIMM的一半。

世迈科技 2019-05-15
DDR4 SODIMM ECC
DDR4 SODIMM ECC

SODIMM ECC 模块内置错误校正编码，可以侦测并修正常见的内部数据毁损问题。

世迈科技 2019-05-15
DDR4 LRDIMM
DDR4 LRDIMM

世迈科技DuraMemory DDR4 LRDIMM低负载内存利用分布式缓冲区，让高速内存控制器可以实现较高的内存总量。

世迈科技 2018-10-16
DDR4 Mini-RDIMM
DDR4 Mini-RDIMM

与SODIMM相较之下，Mini DIMM 提供额外电力和引地脚，以提供更好的信号完整性及可靠度。

世迈科技 2015-01-13

报价中心

厂商快讯

更多
⊙01-14 10:21

1月13日，佰维存储发布公告，预计2025年度实现营业收入100亿元-120亿元，同比增长49.36%-79.23%；预计2025年度归母净利润8.5亿元-10亿元，同比增长427.19%-520.22%。

⊙01-13 17:15

希捷正式推出三款 32TB CMR 机械硬盘，覆盖企业级 Exos 银河、监控 SkyHawk 酷鹰 AI、NAS 存储 IronWolf 酷狼 Pro 三条产品线。以上三款产品均基于希捷Mozaic HAMR（热辅助磁记录）技术平台，并针对应用场景进行了优化。

⊙01-13 10:09

据韩媒报道，三星电子正在评估韩国SNS Tech公司提供的EUV空白掩模，目标是在第二季度投入使用。目前正处于掩模评估的最后阶段，目标是在本月或下个月完成评估。三星电子一直以来都依赖进口EUV光刻掩模版，对日本的依赖程度尤其高，Hoya和Asahi Glass占据了三星大部分的供应。

⊙01-12 10:17

通富微电公告，拟定增募资资金总额不超过44亿元，募集资金扣除发行费用后拟用于存储芯片封测产能提升项目、晶圆级封测产能提升项目、高性能计算及通信领域封测产能提升项目，分别投入募集资金8亿元、10.55亿元、6.95亿元和6.2亿元。此外计划将12.3亿元用于补充流动资金及偿还银行贷款。

⊙01-09 16:18

群联2025年12月合并营收87.12亿元（新台币，下同），环比增长24％，同比增长93％，刷新历史单月新高；全年合并营收达726.64亿元，同比增长23％，同创历史同期新高。群联表示，上月整体营运表现持续升温，控制芯片总出货量年增97％。其中，PCIe SSD控制芯片出货量同比增长15％，显示新一代高速接口渗透率持续扩大；NAND Bit Growth同比增长16％，凸显云端服务商拉货带动NAND需求走扬，并衍生近期NAND涨价与供给吃紧的市况。

⊙01-09 15:25

力成2025年12月营收72.96亿元（新台币，下同），环比增长2.19%，同比增长30.52%，创2022年8月以来单月高点；2025年第四季营收214.07亿元，环比增长7.21%，同比增长25.21%；累计2025年全年营收749.29亿元，同比增长2.20%，创下三年来新高纪录。

⊙01-08 18:12

高通首席执行官安蒙确认，高通确认正与三星电子就2纳米芯片代工合作进行洽谈，三星将有望时隔五年再次获得高通最先进芯片的代工订单，相关芯片设计工作已全部完成。首个合作项目可能是将目前骁龙8 Elite处理器（由台积电3纳米制程代工），转向三星2纳米制程生产。

⊙01-08 14:30

美光宣布，将于2026年1月16日正式在纽约州奥农达加县破土动工兴建其巨型晶圆厂。该项目耗资1000亿美元，是纽约州历史上规模最大的私人投资项目，建成后将成为全球最先进的存储器制造基地，美国最大的半导体工厂。

⊙01-08 10:49

美光宣布推出美光3610 NVMe™ SSD，是业界首款面向客户端计算的PCIe®5.0 QLC SSD，基于久经市场考验的美光G9 NAND 打造，顺序读取速率高达11,000 MB/s，顺序写入速率高达9,300 MB/s，专为主流台式机和笔记本电脑设计。

⊙01-08 10:05

三星电子公布其2025年第四季度的盈利预期，预计营收为93万亿韩元（约合641亿美元），环比增长8%，同比增长23%；营业利润为20万亿韩元（约合138亿美元），环比增长64%，同比增长208%，创历史新高。三星电子将于1月29日披露完整版业绩报告。

厂商动态

更多

最新财报

更多

厂商新品

更多