DDR4 SODIMM ECC

SODIMM ECC 模块内置错误校正编码，可以侦测并修正常见的内部数据毁损问题。

产品分类：内存条 品牌：世迈科技
应用领域： 工业自动化
产品白皮书 发布于：2019-05-15
DDR4 SODIMM ECC 共4个产品
型号 容量 传输速率 芯片结构 DRAM密度 尺寸 工作电压 工作温度
DDR4 SODIMM ECC 32GB 3200MT/s， 2933MT/s， 2666MT/s 2Gx8 4Gb x72 SODIMM 1.2V 0℃~70℃
DDR4 SODIMM ECC 16GB 3200MT/s， 2933MT/s， 2666MT/s 2Gx8， 1Gx8 2Gb x72 SODIMM 1.2V 0℃~70℃
DDR4 SODIMM ECC 8GB 3200MT/s， 2933MT/s， 2666MT/s 1Gx8， 512Mx8 1Gb x72 SODIMM 1.2V 0℃~70℃
DDR4 SODIMM ECC 4GB 2666MT/s 512Mx8 512Mb x72 SODIMM 1.2V 0℃~70℃

产品概览

SMART Modular世迈科技DuraMemory SODIMM 内存模块有别于一般标准模块，提供较小尺寸，大小约为一般DIMM的一半。 SODIMM 通常使用于有空间限制的系统中，例如工业控制、嵌入式和运算系统、路由器等网通硬件等，也经常使用于严苛的操作环境。 SODIMM ECC 模块内置错误校正编码，可以侦测并修正常见的内部数据毁损问题。

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1月13日，佰维存储发布公告，预计2025年度实现营业收入100亿元-120亿元，同比增长49.36%-79.23%；预计2025年度归母净利润8.5亿元-10亿元，同比增长427.19%-520.22%。

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⊙01-13 10:09

据韩媒报道，三星电子正在评估韩国SNS Tech公司提供的EUV空白掩模，目标是在第二季度投入使用。目前正处于掩模评估的最后阶段，目标是在本月或下个月完成评估。三星电子一直以来都依赖进口EUV光刻掩模版，对日本的依赖程度尤其高，Hoya和Asahi Glass占据了三星大部分的供应。

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⊙01-09 16:18

群联2025年12月合并营收87.12亿元（新台币，下同），环比增长24％，同比增长93％，刷新历史单月新高；全年合并营收达726.64亿元，同比增长23％，同创历史同期新高。群联表示，上月整体营运表现持续升温，控制芯片总出货量年增97％。其中，PCIe SSD控制芯片出货量同比增长15％，显示新一代高速接口渗透率持续扩大；NAND Bit Growth同比增长16％，凸显云端服务商拉货带动NAND需求走扬，并衍生近期NAND涨价与供给吃紧的市况。

⊙01-09 15:25

力成2025年12月营收72.96亿元（新台币，下同），环比增长2.19%，同比增长30.52%，创2022年8月以来单月高点；2025年第四季营收214.07亿元，环比增长7.21%，同比增长25.21%；累计2025年全年营收749.29亿元，同比增长2.20%，创下三年来新高纪录。

⊙01-08 18:12

高通首席执行官安蒙确认，高通确认正与三星电子就2纳米芯片代工合作进行洽谈，三星将有望时隔五年再次获得高通最先进芯片的代工订单，相关芯片设计工作已全部完成。首个合作项目可能是将目前骁龙8 Elite处理器（由台积电3纳米制程代工），转向三星2纳米制程生产。

⊙01-08 14:30

美光宣布，将于2026年1月16日正式在纽约州奥农达加县破土动工兴建其巨型晶圆厂。该项目耗资1000亿美元，是纽约州历史上规模最大的私人投资项目，建成后将成为全球最先进的存储器制造基地，美国最大的半导体工厂。

⊙01-08 10:49

美光宣布推出美光3610 NVMe™ SSD，是业界首款面向客户端计算的PCIe®5.0 QLC SSD，基于久经市场考验的美光G9 NAND 打造，顺序读取速率高达11,000 MB/s，顺序写入速率高达9,300 MB/s，专为主流台式机和笔记本电脑设计。

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三星电子公布其2025年第四季度的盈利预期，预计营收为93万亿韩元（约合641亿美元），环比增长8%，同比增长23%；营业利润为20万亿韩元（约合138亿美元），环比增长64%，同比增长208%，创历史新高。三星电子将于1月29日披露完整版业绩报告。

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