SK海力士UFS2.1系列
SK海力士UFS2.1系列

容量提供32GB-128GB，首次采用3D-V2和控制芯片，具有高效的传输速率。

SK海力士 2016-06-15
SMI SM2258 SSD控制芯片
SMI SM2258 SSD控制芯片

SM2258支持主流2D/3D TLC NAND，支持SATA 6Gb/s接口，顺序读取与写入性能分别高达560MB/s。

慧荣 2016-06-08
SMI SM2260 SSD控制芯片
SMI SM2260 SSD控制芯片

SM2260支持主流3D MLC/TLC NAND，支持PCIe Gen3x4接口，顺序读写分别为2400MB/s和1000MB/s。

慧荣 2016-06-08
SK Hynix eMMC 5.1系列
SK Hynix eMMC 5.1系列

符合eMMC5.1 规范，容量8GB-128GB，采用1ynm和3D NAND，较eMMC5.0性能更高。

SK海力士 2016-06-08
美光1100系列SSD
美光1100系列SSD

美光1100系列SSD采用的是美光最新的3D NAND，包括了2.5英寸和M.2两种形态规格，最高容量高达2TB，SATA6Gbps

美光 2016-06-03
Phison PS3111 SSD控制芯片
Phison PS3111 SSD控制芯片

Phison PS3111 是一款可以支持2D&3D NAND Flash的SATA SSD主控芯片，顺序读写速度分别可达550MB/s和500MB/s

群联 2016-05-30
Phison PS5007-E7 SSD控制芯片
Phison PS5007-E7 SSD控制芯片

PS5007-E7是Phison推出的第一款支持PCIe Gen3.0x4接口SSD主控，数据传输速度最高可达2600MB/s。

群联 2016-05-30
OCZ RD400系列PCIe SSD
OCZ RD400系列PCIe SSD

OCZ RD400系列SSD采用15nm MLC Flash，M.2 2280 规格形态，符合MVMe协议标准，PCIe Gen3 x4传输速度。

饥饿鲨 2016-05-25
金士顿SSDNow UV400系列
金士顿SSDNow UV400系列

采用TLC Flash，和Marvell主控芯片88SS1074，提供120-960GB四种容量，最高读写速度分别为550MB/s、500MB/s

金士顿 2016-05-25
SK Hynix SL308系列
SK Hynix SL308系列

采用SK海力士TLC NAND Flash，SATAIII接口，仅提供2.5inch形态，容量有120GB/250GB/500GB，读速高达560MB/s

SK海力士 2016-05-17
金士顿MicroSD UHS-I U3系列
金士顿MicroSD UHS-I U3系列

金士顿microSD UHS-I U3具有惊人性能，最高90MB/秒读取速度和45MB/秒写入速度，存储容量从16GB到64GB不等。

金士顿 2016-05-15
Samsung Micro SD EVO+系列
Samsung Micro SD EVO+系列

容量为64GB~256GB，是一款UHS-1, Class 10, (U1~U3)级别的存储卡，读速高达95MB/s，写速高达90MB/s。

三星 2016-05-09
Sandisk Z410系列
Sandisk Z410系列

提供120GB-480GB容量，形态为2.5inch，SATAIII接口，最高速度达535MB/S，最高写速达445MB/S。

闪迪 2016-04-26
Plextor M7V系列
Plextor M7V系列

提供128GB-512GB容量，有2.5inch和M.2 2280两种形态，SATAIII接口，读速高达560MB/S，写速高达530MB/S

浦科特 2016-04-25
闪迪iXpand闪存盘
闪迪iXpand闪存盘

特别针对苹果用户设计，为iPhone和iPad扩展容量，容量范围为16GB~128GB，高速USB3.0和Lightning接口。

闪迪 2016-04-20

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厂商快讯

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⊙01-19 19:04

南亚科技2025Q4营业收入达 300.94 亿新台币，环比增长 60.3%，季度 DRAM ASP（平均售价）环比增长超三成，销售规模亦增长超 10%；毛利率达到 49.0%，相较 Q3 提升 30.5 个百分点；营业利润率达 39.1%，相较 Q3 提升 33.1 个百分点。南亚科预计2026 年资本支出约 500 亿新台币，作为对比，该司 2025年实际支出仅134 亿新台币。

⊙01-19 10:35

美光宣布，将以18亿美元收购力积电位于台湾苗栗县桐洛的P5晶圆厂。据双方近期签署的意向书显示，此次收购预计将于第二季度完成，收购完成后，美光将从明年下半年开始获得相当可观的DRAM产能。此外，美光将和力积电建立DRAM先进封装的长期晶圆代工关系，美光也将协助力积电在新竹P3厂精进现有利基型DRAM制程技术。

⊙01-19 10:30

SK海力士最新推出的LPDDR5X车用DRAM产品荣获ASIL-D（汽车安全完整性等级D）认证，这是国际汽车功能安全标准ISO 26262下的最高安全等级。

⊙01-16 16:56

据韩媒报道，熟知三星电子内情的相关人士透露，近期三星电子1c DRAM良率已接近60%，该良率确保了超过盈亏平衡点。

⊙01-15 14:57

受惠存储价格走扬与需求回温，宜鼎国际2025年第四季度单季营收达48.06亿元（新台币，下同），环比增长26.25%，同比增长115.74%，带动全年营收达142.61亿元，同比增长近六成，创下历史新高。展望今年第一季，宜鼎看好整体需求动能延续，DRAM 与NAND Flash 价格皆持续上扬，其中Flash价格自去年第三季才开始反映供需变化，涨势仍在加速阶段，首季涨幅可望与DRAM 相当。

⊙01-15 14:25

据韩媒etnews引述业内人士报道，SK海力士已将其无锡工厂的现有1z工艺升级为1a工艺。目前，SK海力士无锡工厂基于12英寸晶圆的DRAM月产能为18万至19万片，其中约90%的产能为1a工艺。无锡工厂的产量占SK海力士DRAM总产量的30%至40%。

与此同时，SK海力士预计将加快其韩国DRAM晶圆厂向1c工艺的升级改造。1c升级的投资将集中在位于利川的M14和M16晶圆厂。其未来的生产结构将是：通用DRAM产品在中国生产，而尖端DRAM产品在韩国生产。

⊙01-15 14:04

据韩媒报道，业内人士透露，英伟达2025年第四季度再次提高了对三星电子和SK海力士的HBM4芯片供应标准。作为回应，三星电子正在修改其逻辑芯片设计，并与代工部门合作，重点关注散热控制和性能提升，加快研发进度。三星电子内部人士表示，提高数据传输速度并不难，只需对逻辑芯片的设计和工艺进行一些改进即可实现。达到英伟达提出的每引脚13Gbps的传输速度是可能的，只是散热存在问题，但这个问题很快就能解决。

⊙01-15 11:05

SK海力士美国法人长柳成洙（音译）近日在接受路透社采访时透露，SK海力士将在 2027 年 2 月提前3个月开放韩国龙仁新园区的首家工厂。同时，计划从下月起在清州新建的 M15X 工厂投放硅晶圆，正式启动HBM芯片的生产。

⊙01-15 09:38

台媒报道，威刚科技宣布投资1亿美元（约合新台币31.4亿元/人民币6.97亿元），从The Film Property Trust收购Weta FX Limited普通股1,366.75万股，每股作价7.3166美元。交易完成后，威刚将持有Weta FX 25%的股权，成为其重要战略股东。此项投资主要着眼于人工智能（AI）技术在影视内容、数字特效及虚拟制作等领域的长期发展潜力，以切入AI内容应用的新蓝海市场。

⊙01-14 10:21

1月13日，佰维存储发布公告，预计2025年度实现营业收入100亿元-120亿元，同比增长49.36%-79.23%；预计2025年度归母净利润8.5亿元-10亿元，同比增长427.19%-520.22%。

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