WD Black NVMe系列SSD
WD Black NVMe系列SSD

采用BiCS3 TLC NAND，搭配WD Spectrum主控，250GB/500GB/1TB三种容量选择。

闪迪 2018-04-08
金士顿A1000系列SSD
金士顿A1000系列SSD

采用M.2 2280规格形态，PCIe 3.0×2接口，搭配群联PS5008主控，容量有240GB/480GB/960GB三种。

金士顿 2018-04-04
ADATA GAMMIX S11系列SSD
ADATA GAMMIX S11系列SSD

采用最新64层3D NAND，PCIe Gen3x4接口，符合NVMe 1.3标准，读写速度最高每秒3200/1700MB。

威刚 2018-04-04
StorArt SA3308 SD控制器
StorArt SA3308 SD控制器

符合SD 6.1规范，支持 2D/3D SLC/MLC/TLC，最大支持容量512GB。

衡宇芯 2018-04-01
ADATA XPG SX8200系列SSD
ADATA XPG SX8200系列SSD

支持PCI-E 3.0 x4接口及NVMe 1.3标准规范，搭配64层堆叠3D闪存，容量240GB、480GB、960GB。

威刚 2018-03-23
三星PM883系列SSD
三星PM883系列SSD

采用SATA 6Gbps接口，搭载64层3D TLC NAND技术和专有的新控制芯片以及LPDDR4 DRAM缓存。

三星 2018-03-21
Marvell 88SS1088 SSD控制芯片
Marvell 88SS1088 SSD控制芯片

支持PCI-E 3.0 x4，符合NVMe 1.3标准，并采用Marvell第四代NANDEdge LDPC纠错技术提高可靠性和耐用性，提高

美满 2018-03-20
Marvell 88SS1098 SSD控制芯片
Marvell 88SS1098 SSD控制芯片

支持PCI-E 3.0 x4，符合NVMe 1.3标准，采用Marvell第四代NANDEdge LDPC纠错技术提高SSD使用寿命。

美满 2018-03-20
Samsung 3D TLC AFGH0A
Samsung 3D TLC AFGH0A

Samsung 3D TLC AFGH0A采用LDPC纠错，提供32GB容量选择。

三星 2018-03-14
SK Hynix 3D TLC QDG8M2C
SK Hynix 3D TLC QDG8M2C

SK Hynix 3D TLC QDG8M2C采用LFBGA封装，提供32GB-256GB多种容量选择。

SK海力士 2018-03-14
SK Hynix 3D TLC QEG8M3M
SK Hynix 3D TLC QEG8M3M

SK Hynix 3D TLC QEG8M3M采用LFBGA封装，提供32GB-512GB多种容量选择。

SK海力士 2018-03-14
Micron 3D TLC B0KB
Micron 3D TLC B0KB

Micron 3D TLC B0KB提供48GB-768GB多种容量选择，支持LDPC纠错。

美光 2018-03-14
Samsung 3D TLC ACGU0D
Samsung 3D TLC ACGU0D

Samsung 3D TLC ACGU0D采用16nm工艺，提供8GB-32GB多种容量选择。

三星 2018-03-14
Samsung 3D TLC ADGU0M
Samsung 3D TLC ADGU0M

Samsung 3D TLC ADGU0M采用19nm工艺，提供16GB-64GB多种容量选择。

三星 2018-03-14
Samsung 3D TLC ADGS0F
Samsung 3D TLC ADGS0F

Samsung 3D TLC ADGS0F采用15nm工艺，提供16GB容量选择。

三星 2018-03-14

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厂商快讯

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⊙01-19 19:04

南亚科技2025Q4营业收入达 300.94 亿新台币，环比增长 60.3%，季度 DRAM ASP（平均售价）环比增长超三成，销售规模亦增长超 10%；毛利率达到 49.0%，相较 Q3 提升 30.5 个百分点；营业利润率达 39.1%，相较 Q3 提升 33.1 个百分点。南亚科预计2026 年资本支出约 500 亿新台币，作为对比，该司 2025年实际支出仅134 亿新台币。

⊙01-19 10:35

美光宣布，将以18亿美元收购力积电位于台湾苗栗县桐洛的P5晶圆厂。据双方近期签署的意向书显示，此次收购预计将于第二季度完成，收购完成后，美光将从明年下半年开始获得相当可观的DRAM产能。此外，美光将和力积电建立DRAM先进封装的长期晶圆代工关系，美光也将协助力积电在新竹P3厂精进现有利基型DRAM制程技术。

⊙01-19 10:30

SK海力士最新推出的LPDDR5X车用DRAM产品荣获ASIL-D（汽车安全完整性等级D）认证，这是国际汽车功能安全标准ISO 26262下的最高安全等级。

⊙01-16 16:56

据韩媒报道，熟知三星电子内情的相关人士透露，近期三星电子1c DRAM良率已接近60%，该良率确保了超过盈亏平衡点。

⊙01-15 14:57

受惠存储价格走扬与需求回温，宜鼎国际2025年第四季度单季营收达48.06亿元（新台币，下同），环比增长26.25%，同比增长115.74%，带动全年营收达142.61亿元，同比增长近六成，创下历史新高。展望今年第一季，宜鼎看好整体需求动能延续，DRAM 与NAND Flash 价格皆持续上扬，其中Flash价格自去年第三季才开始反映供需变化，涨势仍在加速阶段，首季涨幅可望与DRAM 相当。

⊙01-15 14:25

据韩媒etnews引述业内人士报道，SK海力士已将其无锡工厂的现有1z工艺升级为1a工艺。目前，SK海力士无锡工厂基于12英寸晶圆的DRAM月产能为18万至19万片，其中约90%的产能为1a工艺。无锡工厂的产量占SK海力士DRAM总产量的30%至40%。

与此同时，SK海力士预计将加快其韩国DRAM晶圆厂向1c工艺的升级改造。1c升级的投资将集中在位于利川的M14和M16晶圆厂。其未来的生产结构将是：通用DRAM产品在中国生产，而尖端DRAM产品在韩国生产。

⊙01-15 14:04

据韩媒报道，业内人士透露，英伟达2025年第四季度再次提高了对三星电子和SK海力士的HBM4芯片供应标准。作为回应，三星电子正在修改其逻辑芯片设计，并与代工部门合作，重点关注散热控制和性能提升，加快研发进度。三星电子内部人士表示，提高数据传输速度并不难，只需对逻辑芯片的设计和工艺进行一些改进即可实现。达到英伟达提出的每引脚13Gbps的传输速度是可能的，只是散热存在问题，但这个问题很快就能解决。

⊙01-15 11:05

SK海力士美国法人长柳成洙（音译）近日在接受路透社采访时透露，SK海力士将在 2027 年 2 月提前3个月开放韩国龙仁新园区的首家工厂。同时，计划从下月起在清州新建的 M15X 工厂投放硅晶圆，正式启动HBM芯片的生产。

⊙01-15 09:38

台媒报道，威刚科技宣布投资1亿美元（约合新台币31.4亿元/人民币6.97亿元），从The Film Property Trust收购Weta FX Limited普通股1,366.75万股，每股作价7.3166美元。交易完成后，威刚将持有Weta FX 25%的股权，成为其重要战略股东。此项投资主要着眼于人工智能（AI）技术在影视内容、数字特效及虚拟制作等领域的长期发展潜力，以切入AI内容应用的新蓝海市场。

⊙01-14 10:21

1月13日，佰维存储发布公告，预计2025年度实现营业收入100亿元-120亿元，同比增长49.36%-79.23%；预计2025年度归母净利润8.5亿元-10亿元，同比增长427.19%-520.22%。

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