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  • 2026-03-22 06:23

SK海力士最新消息

据韩国经济报导,SK海力士以21nm制程生产的DRAM为目前获利性高的主力产品,2016年底生产比重将达全部DRAM的40%;10nm级DRAM规划在2017年上半投产。NAND Flash领域将目标订在2017年下半

据韩媒ET News报导,SK海力士的非存储器半导体事业发展方向日前定案,已进入执行阶段;SK海力士并以45亿韩元(约397万美元)向子公司Silicon File取得相关资产设备。Silicon File由于让出CIS事业资产,成为SK海力士晶圆代工的设

南韩存储器大厂SK海力士,今年靠DRAM、NAND赚饱饱,不过该公司并未就此放松,还打算拓展版图,抢攻晶圆代工业务,锁定CMOS影像传感器、显示器驱动IC(DDIC)、电源管理IC(PMIC)等。

SK海力士公布其截止到9月30日的2016年第三季度财报,数据显示其总营收为4.24兆韩元(约37.32亿美元),环比增长8%,同比下滑14%;营业利润为0.726兆韩元(约6.39亿美元),环比增长60%,同比下滑48%;净利润为0.598兆韩元(约5.

SK海力士(SK Hynix)与美国史丹佛大学(Stanford University)以及相关设备及材料业者合作,将共同研发结构类似人类脑神经构造的新半导体元件,期盼能提升巨量资料(Big Data)的运算速度,加速人工智能(AI)时代来临。

SK海力士在今天宣布开始大规模量产UFS2.1的产品,有32GB、64GB和128GB三个容量,基于第二代3D NAND的闪存解决方案,采用的是36层堆叠的3D技术。

SK海力士发布了新的PC300系列SSD,面向消费级市场,规格相当彪悍。这款新品的具体主控不详,但可以肯定主控、闪存、缓存都是海力士自主的。

据ET News报导,韩国存储器大厂SK海力士(SK Hynix)启动10nm级(1x)DRAM研发,并将研发代号订为Alius,藉由拉丁文之意,象征突破10nm制程物理极限,为存储器市场开创另一个新的世界。

SK海力士(SK Hynix Inc.)26日公布2016年第二季(截至6月30日为止)财报,营收为3.941兆韩元,同比下滑15%,由于较第一季度产品出货超出预期,以及Memory需求增加的影响,环比季增8%。

继韩国LG Innotek在2016年6月宣布废止生产职的年资阶级制,改采重视成果导向的人事薪资制度后,SK海力士(SK Hynix)也宣布类似的生产职务体系调整,以提升员工的技术能量,强化公司的技术竞争力。

海力士公布首季营收为3.66兆韩元,低于市场预估的3.8兆韩元,环比下滑17%,同比下滑24%,净利润为4480.3亿韩元,同比下滑65%。

2016年Flash原厂均加快导入和扩大3D NAND量产,基于3D NAND大容量和高性能的优势,将优先用于SSD产品,且重点满足数据中心、企业等大数据存储需求。

德国科技网站Golem.de报导,SK海力士的第二代4GB堆栈超宽带存储器(HBM2 DRAM)将在第三季进入量产,随后8GB HBM2 DRAM也将在第四季量产,争抢Nvidia与超微高阶显卡存储器订单的意图明显。

新厂选址在南韩忠清南道省北部,与原海力士旧厂比邻。据日经新闻报导,海力士已取得25万平方公尺的土地面积,并与当地父母官签订合作备忘录(MOU),新厂预计将在2018年正式动工、2019年投产。

SK海力士去年第四季营收季减10%、年减14.2%至4.42兆韩元(以下同单位);净利虽然亦季减17%、年减45.5%至0.87兆,但还是稍高于分析师预估的0.81兆。

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