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位于重庆西永微电园的SK海力士二期1.6万平方米主体建筑已建成,预计6月中旬进行设备安装,第三季度陆续投产。一、二期合计产能是现在的2.5倍,年产量将占SK海力士整个NAND Flash产品的40%以上。
SK海力士宣布已向主要SSD(固态硬盘)控制器公司提供新的1Tb QLC NAND样品,还开发了自己的QLC软件算法和控制器,计划扩大基于96层1Tb QLC 4D NAND的组合产品,加强对下一代高密度存储器市场的响应能力,满足客户需求。
继三星和美光2019年首季财报表现大跌后,SK海力士净利润也同比大跌了65%。面对NAND Flash和DRAM低迷的市况,以及价格持续下滑,美光已决定减少5%的晶圆产量,SK海力士也宣布2019年的NAND Flash晶圆产量将减少10%以上。
据韩媒报道,SK海力士计划发行价值5000亿韩元(4.35亿美元)的债券,用于偿还5月份到期的价值4500亿韩元(3.91亿美元)债券。
传SK海力士正在考虑收购逻辑芯片制造商美格纳半导体 (Magna Chip)位于清州的晶圆代工厂,希望借此扩大其8 寸晶圆生产线,不过消息尚未被证实。
SK海力士公司宣布,4月18 日中国无锡制造工厂(C2F)完成扩建。C2F是无锡现有DRAM生产线C2的扩展,扩大生产线是为了解决技术过渡带来的生产空间短缺的问题。
SK海力士总投资86亿美元的无锡二工厂项目将于本18日正式举行竣工仪式。竣工后主要用于生产先进的10nm级DRAM技术,预估每月可生产18万片12英寸Wafer。
据外媒报道,SK海力士扩建的中国无锡2号工厂将于本月全面投产,主要是用于生产先进的10nm级DRAM技术,预估每月可生产18万片Wafer。
SK海力士宣布Park Jeong-ho成为新任董事会主席,他同时还担任SK Telecom,SK Broadband董事会主席。
SK海力士近日向政府提交的在京畿道龙仁市新建半导体工厂申请于26日获批。这是文在寅政府首次为企业放开首都圈相关规制。
SK海力士总部CFO车辰锡副社长拜见了无锡市委副书记、市长黄钦,共同探讨SK海力士在无锡的未来蓝图,并见证了海力士二工厂项目35亿美元银团贷款成功签约的历史时刻。
3月25日消息,SK海力士推出下一代企业级标准定的ZN SSSD解决方案,SK海力士预计在2020年初完成开发和推出ZNS SSD商业产品。
在经历过去两年芯片产业的繁荣之后,预计全球经济面临的不确定因素将增加,市场对芯片需求的增长幅度也有所趋缓,SK海力士表示将专注于加强芯片制造的基本竞争力,提高芯片生产良率以降低产品成本。
SK海力士宣布将在利川市和清州市的半导体工厂附近建造基于液化天然气(LNG)的火力发电厂,为其半导体生产设施供电。未来三年投资总额为1.68万亿韩元(14.9亿美元)。
2019年2月27日,海辰半导体新建8英寸非存储晶圆厂房项目主厂房封顶仪式隆重举行,这标志着项目建设又迈出了坚实的一步。