7月23日，日韩股市集体。截至发稿，韩国KOSPI综指涨超3%，日经225指数涨超1%。存储概念个股方面，截至发稿，三星涨超4%，SK海力士涨超6%，铠侠涨近1%。

当地时间7月22日，美股三大股指全线收跌。截至收盘，道琼斯工业指数0.01%，报52218.58点；标普500指数跌0.14%，报7498.96点；纳斯达克综合指数跌0.57%，报25690.90点。其中，大型科技股表现分化，英伟达涨超2%，高通、AMD涨超1%，苹果跌0.56%，微软、亚马逊、谷歌A、谷歌C均跌超1%；存储板块涨跌互现，西部数据、希捷均涨超1%，闪迪涨0.62%，SK海力士跌超3%，美光跌超1%。消息面上，谷歌盘后发布最新财报，虽然谷歌云收入同比增长82%但公司自由现金流首次转负并上调全年资本开支指引。

据韩媒inews24报道，为了积极应对人工智能存储器日益增长的需求，SK海力士已将清州P&T7项目的建设投资增加至7.0931万亿韩元（约合48亿美元），以应对产量增加和缩短洁净室开放时间。P&T7 是一个先进的后端生产设施，负责人工智能存储器（例如高带宽内存 (HBM)）的封装和测试。它负责将附近 M15X 工厂生产的 DRAM 封装成HBM 产品。

SK海力士发表声明否认了有关其将收购英特尔位于俄亥俄州的半导体工厂及设施的报道。声明称，公司“持续评估各种投资和收购机会以促进业务发展”，但“尚未决定或正在寻求收购英特尔位于俄亥俄州的工厂”。

7月22日，日韩股市开盘大涨，韩国交易所对KOSPI指数启动暂停程序化交易机制。截至发稿，韩国KOSPI综指涨超6%，日经225指数涨超1%。存储概念个股方面，截至发稿，三星涨超5%，SK海力士涨超8%，铠侠涨超9%。

当地时间7月21日，美股三大股指全线收涨。截至收盘，道琼斯工业指数涨0.74%，报52224.64点；标普500指数涨0.89%，报7509.2点；纳斯达克综合指数涨1.29%，报25837.21点。其中，大型科技股表现分化，AMD涨超8%，高通、英伟达涨超1%，苹果涨0.35%，微软、谷歌A、谷歌C均跌超1%，亚马逊跌0.98%；存储板块普遍收涨，SK海力士涨超13%，闪迪涨超14%，美光、西部数据涨超12%，希捷涨超11%。

据媒体报道，长鑫存储正在为DDR6提前布局供应链，已引入新的封装基板及导线架供应商海成DS（Haesung DS），考虑改用可支持多层设计的面板级制程，以取代DDR4、DDR5使用的卷对卷生产方式，应对DDR6多层设计的更高要求。据悉，长鑫的LPDDR6芯片已进入送样阶段，有望在2026年下半年实现全球首发量产，速率达12.8Gbps，直接对标三星和SK海力士的旗舰产品。

7月21日，美股三大指数小幅收跌，纳指跌0.05%，标普500指数跌0.19%，道指跌0.59%。存储板块多数上涨，其中，闪迪、西部数据涨超2%，希捷科技、美光科技涨超1%；SK海力士跌超1%。

7月21日，韩国KOSPI开盘一度跌超1%，随后快速涨超2%。日经225指数涨超900点，涨幅近1.5%，日本东证指数涨超1%。截至发稿，三星电子涨超4%，SK海力士涨超3%，铠侠涨超11%。

据韩媒引述业界消息，三星电子、SK海力士、美光近日一致决定，停止下一代半导体CXL控制器的自主研发。这一集体转向的核心原因在于：若强行将自研芯片推向市场，可能会引发“自我蚕食效应”，从而摧毁其核心利润来源——通用DRAM的市场需求。为此，以上内存巨头正迅速放弃直接设计，转而采用外包模式，采购专业无晶圆厂的芯片产品。