美国近日升级对中国出口管制，据CFM闪存市场梳理，在BIS发布的具体文件中，对于存储芯片部分更新与增加了对DRAM的限制，删除此前“18nm及以下节点”的描述，进一步细化到针对存储单位面积以及存储密度上的管控。

长期来看，ASML认为，对半导体行业需求的预测预计不会受到新法规的影响，因为这些预测是基于全球对晶圆的需求，而不是任何特定的地理分布。

设备投资的增长遍布多个地区，这些地区都希望加强其芯片制造生态系统，其中北美同比增长最大，中国继续在支出方面处于领先地位。

三星电子和 SK海力士之间的合作正处于早期阶段，正在进行向JEDEC注册标准化的初步工作。关于每个待标准化项目的适当规范的讨论正在进行中。

IFR将管制“Memory bandwidth density”大于2GB/s/mm²的HBM。当前生产的所有HBM都超过了此阈值。即对于目前几乎所有现行生产的HBM，均不能出口到中国。

1－10月，规模以上电子信息制造业增加值同比增长12.6%，增速分别比同期工业、高技术制造业高6.8个和3.5个百分点。10月份，规模以上电子信息制造业增加值同比增长10.5%。

受惠于用于人工智能服务器和企业固态硬盘 (SSD) 的高性能内存芯片的出口呈现强劲增长，11月韩国半导体出口额同比增长30.8%，为125亿美元，创下历年同期最高纪录，连续13个月保持增势，连续第四个月创下纪录。

德国经济部希望利用新提议的资金补贴一系列领域的10至15个项目，包括未加工晶圆的生产和微芯片组装。

随着外围核心和存储单元的分离，预计DRAM集成度可以提高。目前LPDDR5X等产品的存储单元阵列效率在50%左右。

Song Jae-hyuk表示，下一代产品10纳米以下DRAM 所需的基础技术正在顺利开发中，下一代NAND产品V10的开发将满足目标性能和进度。