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除了定制芯片设计方面的进展之外,存储器市场也正在发生重大变化。SK海力士将于今年下半年开始量产第六代HBM(HBM4),三星电子HBM4流片工作预计已于2024年第四季度开始,目标在今年6月之前完成12层HBM4量产的准备工作。

Cordano将直接向美光总裁兼首席执行官 Sanjay Mehrotra 汇报。

SK海力士将于今年下半年开始量产第六代HBM(HBM4),从而引领专为客户各种需求定制(Customized)的HBM产品市场。

三星电子联席CEO兼副主席韩钟熙和全永铉在联合新年致辞中分享了他们对公司的愿景,重点追求“超级差距技术”,以在人工智能时代保持竞争优势。

即使在第四季度通用内存价格下跌的情况下,受益于DDR 和HBM芯片等高价值产品的出口比例提升,推动整体出口上扬。

强一股份成立于2015年8月,是一家专注于服务半导体设计与制造的高新技术企业,聚焦晶圆测试核心硬件探针卡的研发、设计、生产与销售,致力于协助客户降低制造成本、提高产品良率。

适逢元旦假期,按照国家节假日规定,放假1天,即2025年1月1日放假。放假期间,停止所有产品报价,1月2日(周四)恢复所有产品报价。

此资本支出规划最主要为客户对AI及高效能运算(HPC)芯片测试需求的大幅增长,加速扩充产能,以满足客户产品即时上市的需求。

品安透露,为应对DRAM产业起伏不定,与物价通膨趋势等非预期事件冲击,拟定最符合未来价值需求竞争策略,将调降DRAM生产比重,朝向跨足多重领域,提高非DRAM营收,分散经营风险,转型多元制造智能工厂。

业界认为,三星电子的产品开发策略发生了变化,经过最新的组织及人事调整后,三星电子正在积极鼓励技术发展。在DRAM领域,三星电子正在开发4F² VCT DRAM和3D DRAM等多种技术,以应对下一代DRAM市场,1e DRAM也是其中之一。

该产品有望降低各种应用的功耗,例如人工智能、后5G通信系统和物联网产品。同时也适用于内存级存储(SCM)技术,以及适配高密度和高性能的新型3D NAND FLASH。

数据中心投资一旦放缓,AI智能手机需求可能有助于保护半导体产业的部分领域免受严重衰退冲击,AI手机一旦出现杀手级应用、换机潮可能会大量涌现。

消息称,三星已尝试退回根据此前政策购买的设备,购买设备用于建设封装线,但设备正在根据最新审查政策再次审查,最终的方向是推动多元化。

明年将投资179亿韩元用于PIM人工智能半导体。计划在3-4年内支持PIM计算结构应用的内存接口·商用平台技术开发、基于PIM的计算机系统用SCM控制半导体技术开发、基于PRAM、MRAM的PIM制造的商用技术等。每个项目每年将获得约10亿韩元左右的资金。

顺序读取速度最高可达14,000MB/s,顺序写入速度最高可达12,500MB/s,接近PCIe 5.0协议的理论上限,大幅缩短大型视频素材与3D模型文件的导入及导出时间。

股市快讯 更新于: 04-20 05:30,数据存在延时

存储原厂
三星电子55300KRW+0.36%
SK海力士175000KRW0.00%
铠侠1782JPY-2.84%
美光科技68.800USD-0.76%
西部数据36.510USD+2.50%
闪迪31.290USD-2.31%
南亚科35.30TWD+9.97%
华邦电子15.90TWD+3.25%
主控厂商
群联电子435.0TWD+0.46%
慧荣科技39.220USD-1.56%
联芸科技40.80CNY-2.39%
点序51.5TWD+1.18%
国科微63.92CNY-0.81%
品牌/模组
江波龙76.90CNY-0.67%
希捷科技75.780USD+4.06%
宜鼎国际239.5TWD+2.79%
创见资讯102.0TWD+2.51%
威刚科技80.0TWD+1.91%
世迈科技15.880USD-3.41%
朗科科技23.65CNY+0.60%
佰维存储60.15CNY-0.38%
德明利129.65CNY-3.22%
大为股份13.46CNY-1.25%
封测厂商
华泰电子32.25TWD+1.57%
力成110.5TWD-0.90%
长电科技32.80CNY0.00%
日月光129.0TWD-0.39%
通富微电25.35CNY-0.86%
华天科技9.78CNY-0.41%