宇瞻总经理张家騉于法人说明会上表示,在存储产品走势上,DRAM为缓慢走升,NAND flash在WD/铠侠事件后,第二季会急速转为供不应求,缺口会扩大很快、价格将急涨,目前看来,产业正向、需求成长,第一季是乐观看待。
该系列包含 GD5F1GQ5/GD5F2GQ5/GD5F4GQ6 产品,覆盖 1Gb~4Gb 容量,从设计研发、生产制造到封装测试所有环节,均采用国内供应链,极大程度上填补了国产大容量车用存储器的空白,全面进入汽车应用领域。
2021年第四季华邦电子在内存部门中,DRAM占比重46%、flash占比重54%,主因DRAM因25nm的产出增加,带动占比提升。制程部分,25nm占比重已达54%、38nm占11%、46nm为29%、65nm占6%。
相关专利诉讼尚未完全结案,据悉三星电子正在准备上诉。
十铨科技宣布旗下所有 T-FORCE DDR5 游戏内存均获得 Intel XMP3.0 认证,确保游戏玩家可以使用T-FORCE 的可超频 DDR5 内存。
据外媒报导,美光宣布将停止生产其 Crucial 品牌的高性能和以游戏玩家为中心的 RAM 产品 Ballistix RAM 产品。到目前为止,并没详细信息说明这些产品停产的原因。
韩媒报道,SK海力士在近日举行的“半导体投资振兴会议”后接受访问时表示,SK海力士位于京畿道龙仁的新厂区预计在今年二季度开始动工,预计2025年开始运营。
内部董事会成员提名中值得注意的是三星负责存储芯片业务的总裁李正培,其业务的年销售额与 2020 年相比增长了 31%。
西部数据目前对影响的评估是其闪存可用性减少了至少6.5 exabytes,据CFM闪存市场分析,该数量预计约占全球全年NAND Flash总产能1%,约占西部数据和铠侠Q1产能10%。
2021年存储产品营收在各应用类别占比分别为消费性电子占24%、通讯电子占32%、计算机相关占22%、车用及工业用相关占22%。
佰维AP423系列PCIe SSD采用标准的M.2 2280规格,接口支持PCIe 3.0x4,NVMe 1.4协议,最大容量2TB,持续读写速度最高分别为3.5GB/s、2.9GB/s,同时采用低功耗的DRAM-less设计,拥有HMB、数据巡检、电源管理等众多功能。
据韩媒报道,韩国1月份半导体出口仍然活跃,连续9个月突破100亿美元大关。其中,信息和通信(ICT)出口在1月份创下历史新高。
媒体报道,沪硅产业发布关于子公司拟签订长期供货协议暨关联交易的公告显示,上海新昇拟与长江存储、武汉新芯就12英寸大硅片产品签订长期供货协议,预计协议总金额均在3000万元以上,且占公司最近一期经审计总资产1%以上。
西部数据就其与铠侠的合资闪存制造设施的生产状况发表评论称,西部数据目前对影响的评估是其闪存可用性减少了至少6.5 exabytes。
据韩媒报导,韩国叠层测量设备公司Oros Technology最近获得了一家中国存储半导体公司作为客户。这家公司于去年底完成了叠加测量设备的演示测试,Oros Technology已于年初开始提供设备。