经推算,东芯股份第二季度单季预计实现营业收入10.11亿元至10.51亿元,环比增长约111%至119%;归母净利润预计达5.02亿元至5.42亿元,环比激增262%至291%,单季盈利能力创下上市以来的历史新高。

据媒体报道,长鑫存储正在为DDR6提前布局供应链,已引入新的封装基板及导线架供应商海成DS(Haesung DS),考虑改用可支持多层设计的面板级制程,以取代DDR4、DDR5使用的卷对卷生产方式,应对DDR6多层设计的更高要求。据悉,长鑫的LPDDR6芯片已进入送样阶段,有望在2026年下半年实现全球首发量产,速率达12.8Gbps,直接对标三星和SK海力士的旗舰产品。

据韩媒报道,三星电子正扩大与英伟达在NAND闪存供应领域的合作。业内人士透露,三星电子已建成每月超过10万片晶圆的V-NAND产能,并正在大规模生产其第十代V10产品,以供应给英伟达。据悉,三星已将约60%的V-NAND产能分配给V9闪存,此举旨在满足英伟达下半年推出的CMX对NAND的需求。此外,三星已开始试生产500层级的V11闪存,试生产于今年年初启动,计划在下半年将相关产量翻番。

内存巨头正迅速放弃直接设计,转而采用外包模式,采购专业无晶圆厂的芯片产品。

据台媒报道,威刚董事长陈立白表示,现阶段讨论AI泡沫言之过早,未来AI应用将全面扩展至B2B、B2G、B2C和B2B2C等不同商业模式,算力需求规模持续扩大。他认为,未来十年全球最短缺的两项资源之一为存储和电力(尤其是绿电)。在供给扩张受限的情况下,陈立白预计下半年存储价格仍将持续上涨。

Fadu 业绩的强劲增长主要得益于充足的在手订单以及全球客户群体的不断扩大。截至目前,该司按公开披露口径已累计斩获超3400亿韩元的新增订单。此外,Fadu还成功拓展了新的服务器OEM客户,进一步夯实了其在全球存储生态体系中的市场地位。

消息称,这支新组织近期已围绕多项核心议题展开研讨,重点包含如何掌握 HBM4(第六代高带宽内存)等高附加值存储产品的后端制程核心技术,同时也探讨了人员调配、供应链体系强化等配套规划。

Viasat方面主张,该公司是在为卫星设计纠错系统的过程中,开发出了这项利用电荷在晶体管上存储数据的闪存改良技术。Viasat指控铠侠的闪存产品中,包含了与其专利技术工作原理相同的纠错技术。对此,铠侠予以否认,并辩称涉案专利应属无效。

慧荣科技企业级存储及显示界面解决方案事业处SVP周晏逸近日在采访中表示,公司最近才开始批量出货企业级产品。目前仍处于产能爬坡的初期阶段,但与几家重要客户的合作进展顺利,预计下半年企业级产品的出货量将大幅增长。产品路线规划方面,PCIe Gen6 主控设计已基本完成,顺利的话预计2026年下半年将完成首批流片回片;PCIe Gen7已经在积极研发中,计划于2027年下半年提供内部样品,并在同一时间段逐步推动量产。

本次调查的列名被告涵盖多家海内外知名科技企业,其中包含三星电子位于韩国水原的总部,以及三星电子美国分公司、三星半导体美国分公司;同时谷歌、超微电脑、英伟达、博通等多家美国本土科技企业均在被告名单之列。

据韩媒报道,三星即将最终确定平泽P5一期(首条生产线)的半导体设备供应商,并已同时启动P5二期(第二条生产线)的设备供应商遴选工作。价值数十万亿韩元的设备订单即将下达。据悉,P5生产线最初的全面投产目标时间是2028年,但一期预计最早明年即可投入运营。

据多家韩媒报道,三星电子计划在其位于韩国京畿道器兴的园区内新建一座DRAM晶圆工厂。该项目规划月产能约为10万片晶圆,总投资规模预计将达到数十万亿韩元,施工最早可能于2026年第三季度启动。

根据反垄断公示文件披露,本次交易前长江存储手握武汉新芯 68.19% 股份,实现全资管控。交易完成后,光谷半导体产投连同其一致行动人合计掌握武汉新芯 47.88% 表决权,成为企业新实际控制方;长江存储持股大幅稀释,不再享有经营管控权,仅作为财务投资者持有股份。

当前全球AI算力需求持续激增,叠加存储芯片产能扩张周期较长,行业长期供给受限,头部存储供应商议价能力显著提升,DRAM、NAND、HBM等核心存储产品的长期供货协议已成为科技巨头的主流采购模式。

据韩媒The Bell报道,SK海力士已于上月底开始向英伟达出货12层HBM4的量产产品,并进入了“ ramp-up”(扩大量产规模)阶段。这是HBM4首次以完成所有质量认证的最终规格,供应给英伟达下一代AI平台“Vera Rubin”。此前供应的货量均被归类为样品。据悉,SK海力士在量产出货的时间节点上,也已完成了与英伟达就明年HBM4价格的谈判。SK海力士预计从下半年起逐步增加HBM4的货量,预计在第四季度,HBM4在其整体HBM销售占比中将超越HBM3E。

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