美光极有可能在今年下半年向三星电子提供更多采用新1γ（对应1c）工艺生产的LPDDR5X样品。
目前三星电子内部仍在讨论是将 PH2 用作 DRAM 生产基地，还是将其改造成混合晶圆厂。DRAM生产线PH4目前暂无进展，其建设工作已处于收尾阶段。
三星电子计划将新设计应用于其1c DRAM。预计以此方式生产的 DRAM 将用于计划于下半年生产的HBM4。
目前三星、SK海力士被列入了“强制出口管制”（VEU）名单，允许进口除EUV曝光设备以外的所有设备，无需单独许可。如果特朗普政府取消这项豁免，那么每次向中国工厂引入新设备或替换设备时，都需要单独办理许可手续。
据业界消息，前联发科共同营运长朱尚祖将加入慧荣科技，7月正式就任。
继AMD日前于发布会上宣布其新款AI加速器MI350X和MI355X已搭载三星电子的12层HBM3E后，据韩媒报道，三星电子已完成博通HBM3E 8层认证测试，并正在为量产做准备。
据韩媒thebell报道，SK海力士计划推迟对10nm级第六代DRAM（1c DRAM）的投资，目的是专注于需求可见度高、盈利能力强的高带宽存储器（HBM）的生产。
从HBM5开始，冷却技术将成为关键，通过3D异构集成和先进封装技术，将部分基础芯片（Base Die）移至HBM顶部。
据悉三星电子将从第五代HBM"HBM3E"开始应用飞秒激光。但由于设备刚启动导入，实际目标产品更可能是第六代"HBM4"。
对于未来业绩展望，郭鲁正表示：“今年和明年的业绩很难预测，但目前为止，一切进展都与计划相符，让我们共同努力，实现计划。”
美光曾计划到2030年代中期，通过爱达荷州博伊西和纽约州克莱镇的两大生产基地，将40%的DRAM产能转移至美国本土。但鉴于当前延误，能否如期执行该计划尚不明朗。
首批SOCAMM模块基于堆叠式 LPDDR5X 芯片，将用于英伟达即将推出的 AI 加速器平台 Rubin，该平台计划于明年发布。
干式PR在超精细工艺（如10纳米级别）中更具优势，可避免湿式PR因液体显影和剥离导致的图案变形问题，同时提高曝光精度，提高良率。
十铨表示，尽管全球总体经济环境仍充满不确定性，其主要产品线仍持续稳定出货，其中，AI与工控应用需求稳定增长，主流DDR5市场也持续扩展。DDR4方面，公司已提前启动采购与备货规划，维持出货节奏与应用端需求接轨，强化整体竞争力与市场布局。
Lam Research计划通过Akara进军下一代半导体市场，目前其已被主要客户用于下一代DRAM和GAA代工工艺，并正在导入研发和量产线。
英伟达提高HBM4标准，三星改造逻辑芯片冲刺13Gbps传输速度
嵌入式LPDDR4X价格全面大幅上涨，存储现货市场整体多以接单谨慎、按单谈价为主
本周行业SSD和渠道SSD、内存条价格上涨，部分行业PC客户正逐渐接受新季度报价
本周存储成品端现货价格维持高位盘整，部分Flash Wafer及DDR颗粒价格上调