据报导,三星电子(Samsung Electronics)发表声明指出,该公司已经发展出新的Mobile DRAM,可以使用在行动装置上,其传输资料的速度是先前的8倍。先前的传输速度为1.6Gbps,而这款WIDE IO Mobile DRAM的速度则高达
NOR Flash大厂飞索(Spansion)呼应日前旺宏和华邦认为市场供需将趋于健康、价格可望稳定的看法,但3家大厂都开始将重心放在制程技术上;飞索指出,2011年65奈米制程比重将逐季提升,预计年底可望达25%;
动态随机存取记忆体(DRAM)春燕飞来,攸关DRAM营运的2月上旬合约价全面反弹,主流规格DDR3 2Gb DRAM上涨3.5%;利基型记忆体DDR2 DRAM涨幅更逾7%。
据预估,2010年新增全球数字数据量约达1,200 EB(相当于100万TB或10亿GB),平均每秒制造38 TB的数据量;至2020年,全球数字数据量将一举暴增至35,000 EB,平均每秒制造1,1110 TB的资料量,短短10年内数字数据量以倍数向上
尽管不少PC及笔记本电脑(NB)品牌业者纷于2010年推出USB 3.0接口产品,使得USB 3.0被相关芯片供货商视为是新一代救世主,投入USB 3.0芯片市场的台系IC设计业者增加逾10家,然相较于台厂全力投入,国外USB 3.0芯片供货商反而态度冷静
USB 3.0 IP大厂的智原对此市场发出警语,总经理林孝平表示,USB 3.0市场根本还没成熟,但市场就已杀价过度,导致USB 3.0毛利率比USB 2.0还差,且以后也不会更好,市场对于USB 3.0不宜过度乐观;
摩尔定律(Moore’s Law)未来在20奈米制程以下将逐渐到达临界点,NAND Flash和DRAM技术已开始面临瓶颈,因此各种新世代内存技术百花齐放,都想藉此取代既有内存架构;
固态硬盘(SSD)市场东山再起,成为各路人马争食的大饼,内存模块厂广颖电通日前与控制芯片业者SandForce合作,推出Velox系列V20固态硬盘,利用SandForce独家的DuraClass技术,可延长SSD的使用寿命,目前广颖推出的容量从低阶40G
硬盘记录技术从过去的平行读写发展至现行的垂直写入技术(Perpendicular Recording),由于硬盘厂商追求最高储存容量年成长20~30%的趋势不变,若以3.5吋硬盘最高单盘片容量极限达1TB来看,预估2011年底或2012年硬盘产业纪录格式将
今年农历春节后,全球DRAM业有了明显的变化,力晶(5346)决定将产品交由全球第三大的尔必达 (Elpida)销售,尔必达阵营市占率扩大,并将在下周来台挂牌上市,执整合大旗,将联台抗韩的局势撑起,台湾的DRAM业则顺应潮流,积极转往行动式记忆体,逐步弃守
受惠于智能型手机、平板计算机热销,今年Nand Flash需求成长看俏,其中包括内嵌式、SSD、USB3.0等领域都是Nand Flash控制IC设计业积极布局的领域。国内Nand Flash控制IC设计大厂群联(8299)透过与金士顿合资的方式进军嵌入式
华邦电子(2344)今年按规画持续提升制程,利基型DRAM预计下半年转换至46纳米制程,58纳米制程的NOR Flash也在下半年量产,Mobile RAM年底前将完成65纳米制程转换;全年资本支出下滑至49.6亿元。
因回补库存的力道减缓,DRAM现货价持续自高点回档,主流规格的2GB回探2美元关卡;尔必达TDR(916665)订于25日挂牌,24日该公司社长(土反)本幸雄将亲自来台召开法说会,可望再为景气释出看法。
根据研究报告,三星电子 (Samsung Electronics Co.)(005930-KR) 在去 (2010) 年第 4 季期间,因经营策略成功,原本在动态随机存取记忆体 (DRAM) 市场领先的市占率,又获得进一步的提升。
一线大厂相继喊出DRAM价格落底,DRAM产业似乎捎来一丝春意,联电荣誉副董事长宣明智也认同,因为库存太低,年后回补库存的力道浮现,显示库存处于健康水位,但是与上一波低潮相较,DRAM价格并没有超跌。