日本强震震惊全球,由于当地聚集不少矽晶圆及化学材料、零组件厂商,电子业对供应链影响程度高度重视。华硕(2357)在震后第一时间调查供应链影响状况,初步认为,对NAND Flash快闪记忆体供货影响较大,短期可能会有吃紧的状况。

接下来短期间内,NAND Flash涨价机率和幅度是高于DRAM,一方面东芝掌握全球超过30%的NAND Flash供给,二方面日本生产DRAM比重已相对较小,但地震仍可成为DRAM喊涨的借口之一。

日本东北大地震造成日本半导体业重创,NAND快闪存储器现货报价蠢蠢欲动,本周一现货报价可能上扬,但这只是短暂现象,尤其亚洲现货市场已有48小时了解实际情况,预期现货价格将能合理反映市场信息,而不是过度超涨。

根据报导指出,东芝(Toshiba)位于日本三重县四日市生产NAND Flash的主要厂房,曾经因为大地震的关系而一度关闭生产,不过,厂房设施并没有因为这次地震导致严重影响,目前已经恢复生产。

分析师表示,受日本地震影响,智能手机和平板电脑使用的闪存芯片现货价格有可能上升。

日本东北地区昨日发生芮氏规模高达8.9级强震,由于日本东北是半导体厂重点设厂地区,包括信越化学工厂,IDM厂如东芝、瑞萨、索尼、富士通等晶圆厂或封测厂,均因停电或出现震灾而停工,亚太地区DRAM及NAND FLASH等均已停止报价。

日本超大地震动摇全球电子业,全球前两半导体矽晶圆厂信越、SUMCO部分产线因地震受创,最上游原材料拉警报,力晶昨(11)日已宣布暂停DRAM现货报价;全球第二大储存型快闪记忆体(NAND Flash)厂东芝也传受创,恐冲击苹果双i出货。

NAND Flash控制芯片大厂群联(8299)表示,3月份营收可望回升到1月份的水平,即月增率达到20%以上。对于NAND Flash价格走势的看法,群联表示,在需求强劲支撑下,3月份NAND Flash的价格将维持稳定。

据日报导,分析师发表研究报告指出,受台湾生产的DRAM逐渐自市场消失、大型DRAM厂将更多产能投入mobile DRAM影响,预期今(2011)年下半年DRAM将出现短缺情况。

虽DRAM合约价看涨,但美国美光科技周三重挫逾5%,加上外资持续对DRAM股偏空操作,不但反手卖超尔必达(916665)持股,本周也卖超南科(2408)、华亚科(3474)等股,使得今早DRAM股股价重挫。

南韩半导体大厂海力士(Hynix) 9日对外宣布,成功运用矽穿孔(Through-Silicon Via;TSV)封装技术,堆栈8颗40奈米2Gb DDR3 DRAM制成16Gb DRAM,这是首度诞生单一封包内呈现高容量16Gb的产品。

南科(2408)DRAM合约价已于今年1月落底,预期本月合约价续涨,并看好涨势可延续至第三季。本土法人亦认为DRAM报价落底反弹的时点已近,今早盘DRAM现货价回稳,即将开出的本月上旬合约价可望顺利开高。

在历经连续2年价格崩跌,蒙受大幅亏损的DRAM(Dynamic Random Access Memory,动态随机存取内存)产业,好不容易从2009年下半年起,开始反弹,价量齐扬,让DRAM业者转亏为盈,获得休养生息的机会。

据报导,Sterne Agee证券分析师Vijay Rakesh 8日以DRAM、NAND型快闪记忆体(Flash)芯片市场已出现结构性改变为由,重申美光(Micron)、SanDisk投资评等为“买进”,目标价分别上看17美元、65美元。美光8日下跌1.

台塑集团旗下动态随机存取记忆体(DRAM)厂南科(2408)看好在苹果iPad2的刺激下,今年NAND Flash将是个好年,只是南科目前并没有跨足NAND Flash的计划。

简讯快报

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