海力士以矽穿孔技术 成功制造16Gb DRAM

存储器 中国闪存市场 Helan 2011-03-10 08:26
南韩半导体大厂海力士(Hynix) 9日对外宣布,成功运用矽穿孔(Through-Silicon Via;TSV)封装技术,堆栈8颗40奈米2Gb DDR3 DRAM制成16Gb DRAM,这是首度诞生单一封包内呈现高容量16Gb的产品。
海力士表示,该产品若制作成模块,最大可实现64GB的高容量,适合应用于需要大容量内存的服务器或工作站(Workstation)。
若想要以多芯片封装(Multi Chip Package;MCP)或迭层封装(Package on package;PoP)等打线接合(wire bonding)方式,堆栈DRAM呈现出高容量产品,则较为困难。
业界采用过去的技术堆栈芯片,将使线路过于繁杂,且有增大封包的缺点。海力士将芯片垂直堆栈,采TSV技术形成封包,可堆栈的数量为打线接合制程的2倍以上,且传输速度提升约50%、耗电量减少约40%。
海力士研究所长洪性柱表示,以TSV制造高容量内存的技术在未来2~3年内,将可能成为内存产业的核心技术。
TSV技术未来可望成为将内存芯片、系统芯片、图像传感器(Image Sensor)等统合至1个封包的核心技术。海力士计划2013年将以该产品制作成64GB模块并进行商用化,目前正在准备量产,并同时促进较行动DRAM速度快8倍的Wide I/O TSV开发作业。

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