日本NAND Flash(储存型快闪记忆体)大厂东芝,由于矽晶圆产能的调配已到极限,已经正式通知客户将限量出售,台湾的群联(8299)是东芝直接客户,加上在今年1~2月间有提前备货,因此可望是东芝限量销售下的受惠者。

宜鼎是工业固态硬盘(SSD)和DRAM内存供货商,多年来耕耘有成,同时也跨足军规、服务器等SSD模块市场,相较于消费型内存产品竞争激烈且毛利率相当微薄,工规SSD和DRAM产品已成为内存产业的新蓝海,像是忆正、宇瞻、创见等,都纷纷跨入此领域。

英特尔(Intel)新一代固态硬盘(SSD)问世,采用25奈米制程NAND Flash芯片生产,价格直接下砍30%,将再次让SSD市场战况白热化。模块厂表示,目前市面上SSD产品仍是以30奈米制程为主,英特尔新款SSD定价相当具威胁性,未来模块厂若无法尽快

英特尔(Intel)宣布新款固态硬盘(SSD)计划,第3代320系列SSD产品线正式问世,且是取代X25-M系列SSD,有别于X25-M系列SSD是采用34奈米制程的NAND Flash芯片,320系列SSD产品是采用25奈米制程,因此在定价上有出现新一轮

日震让近期内存现货报价走强,市场对内存厂业绩有回温的题材联想,但对内存厂仍抱持保守的看法,主要是预期南科(2408-TW)今年仍有亏损,短线下档风险仍在,因此给予「卖出」评等,以及目标价9.8元。

PC(Personal Computer,个人电脑)业者抢料,摩根士丹利与瑞银证券纷纷看好,第2季DRAM(Dynamic Random Access Memory,动态随机存取记忆体)报价可望逐月走高,挹注南科(2408)、华亚科(3474)、力晶(53

智能型手机(Smartphone)掀起一股内嵌式内存风潮,为了不让eMMC内嵌式内存专美于前,内存模块厂力推Class 10规格高容量、高速化的32GB microSDHC新产品,将小型记忆卡规格再度提升,金士顿(Kingston)在推出16GB micr

NAND Flash业者表示,日本强震过后,NAND Flash大厂开出的报价,平均涨幅都有10%左右,但相较于现货价仍是合理水位,目前市场状况有点吃紧,但不到缺货地步,预计4月NAND Flash合约价结果,会更真实反应NAND Flash大厂后续供给情

台湾DRAM厂料源影响程度不一,力晶(5346)因为高阶制程的用料已有一定品质,对日本矽晶圆仰赖程度高,而南科、华亚科则有集团内的台胜科全力供货,影响程度较轻。

3 月下旬储存型快闪记忆体(NAND Flash)合约价出炉,延续先前上扬走势,主流规格32Gb MLC晶片涨幅逾4.5%,近一个月以来涨逾一成,为群联(8299)等相关业者淡季营运吞下定心丸。

3月下旬储存型闪存(NAND Flash)合约价持续涨势,较3月上旬持平或上涨4.59%;同时DRAM合约价亦成功调涨,有利内存模块厂营运回稳。

日本DRAM龙头厂尔必达(Elpida)已确保了截至今(2011)年7月底为止生产DRAM所需的必要原材料,故7月底前尔必达将不会发生所谓的供货问题。

USB 3.0随身碟商机受到NAND Flash缺货影响恐递延,但USB 2.0换USB 3.0硬盘的商机却如火如荼展开,更牵引台系USB 3.0芯片业者订单大风吹,其中希捷(Seagate)、威腾(WD)、三星电子(Samsung Electronics

对于发展前景杂音甚多的USB3.0,调查显示,2010年装置端芯片出货量约1715万颗,而2011年随着主端芯片于PC市场的渗透率提高,装置端芯片今年全球出货量可望攀升至5787万颗,较2010年大幅成长234%。

NAND Flash控制芯片大厂群联(8299)表示,日本311东北强震之后,NAND Flash现货价出现飙涨,OEM厂也出现短暂的抢货潮,进入3月下旬之后,合约价走势混乱,惟整体仍呈现上涨走势,而接下来,必须观察5月之后,半导体硅晶圆供货的情况,尤其现

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