利基型DRAM需求持续成长,继4月大涨逾1成后,业界传出5月将再涨5~10%,有助于厂商的营运表现持续增温,预期首季仍出现亏损的钰创(5351)及力积(3553)第2季转亏为盈机会相当高。
力晶转型代工再获国际一线厂大单,飞索(Spansion)、超捷(SST)两大编码型快闪存储器(NOR Flash)厂将包下25%代工产能。力晶进军行动装置芯片代工成形,最快第三季转亏为盈。
力晶董事长黄崇仁表示,标准型DRAM下半年看涨,有机会上看3美元,较目前的1.83美元大涨逾六成,力晶趁此机会,加快转型,预期今年首季将是全年谷底,转盈时间点会在下半年过后。
传统硬盘产业持续引爆购并战争,硬盘采用的USB 3.0 to SATA桥接控制芯片产业也竞争激烈,继智微、祥硕陆续拿下硬盘大厂订单后,威锋第2代USB 3.0 to SATA桥接控制芯片VL701产品,日前也正式获得USB-IF协会的USB 3.0 Sup
IC设计创惟(6104-TW)看好第 2 季营收与毛利率都可望持续向上,USB 3.0产品出货力道将逐步转强,预期第 1 季将是营运谷底,激励今(6)日股价直奔涨停锁住,上演法说庆祝行情。
全球最大记忆体模组厂金士顿(Kingston)今年将力拼NAND快闪记忆体相关产品出货量,金士顿创办人孙大卫表示,已扩大与鑫创(3259)、擎泰(3555)、群联(8299)、智微(4925)等台湾4家NAND控制IC厂合作。且 4家控制IC供应商各有不同
DRAM产业筹资潮再现,南科(2408)、力晶(5346)、茂德(5387)董事会相继通过筹资计画提请今年度股东会通过,估计募资总股数将达69亿股,若全数发足,今年3家DRAM厂从资本市场上可望筹措近200亿元资金。
美系内存大厂美光(Micron)积极进军固态硬盘(SSD)市场,再推出SATA3 6Gb的C400系列产品后,零售品牌Crucial也将推出同样规格的m4系列SSD产品线,主攻零售通路市场,台湾代理权由青云国际负责销售,内存容量从64GB~512GB,采用
据韩联社报导,三星电子(Samsung Electronics)半导体事业部社长权五铉在三星主要首长团会议中表示,日本DRAM制造厂尔必达(Elpida)虽然公开表示已开发出25奈米DRAM,但仍需持续观察至正式量产,表现出存疑的态度。
台系DRAM厂4月营收表现不一,力晶4月营收持盈保泰,较上月小幅增加1%,该公司日前已正式与日系存储器大厂尔必达(Elpida)签订新的产销合约,未来将转型为代工厂;南亚科4月营收表现最突出,以44.36亿元较上月大幅成长18.7%,而华亚科4月营收为31
南科(2408)4月营收亮眼,创去年9月以来最高,力晶4日宣布4月自行结算营收,单月营收40.34亿元,较3月小幅成长1%,加上5月 DRAM合约价持续看涨,昨日股价强攻涨停,激励华亚科(3474)、力晶(5346)、华邦电(2344)盘中转强,股价同步收
继全球 DRAM 产业第 1 季营收下跌后, 随着淡季效应发酵, 4 月下旬 NAND Flash 合约价同样出现持平或部份下跌,部份产品跌幅将约在 2-5% 的水平左右,预期 5 月开始将转为持续下跌,进一步反映第 2 季中后期在传统淡季效应。
由于智能型手机(Smartphone)和平板计算机(Tablet PC)需求暴增,三星电子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix) 2011年双双提升NAND Flash芯片产量。 据报导,三星和海力士2011年NAND Flas
4月下旬NAND Flash合约价在市场多空因素交杂的影响下,呈现部份持平及部份下跌的状况。4月下旬储存型闪存 (NAND Flash)合约价,主流产品合约均价同步较4月上旬下跌2%左右。