台日DRAM厂资金告急,脑筋动到大陆身上,尔必达(Elpida)社长坂本幸雄27日指出,因应日圆持续飙涨,除了将生产基地移到台湾瑞晶之外,也考虑在大陆地区设厂,最快于2012年可看到;

DRAM厂陆续减产,封测厂已逐渐感受到订单转弱态势,预期第3季营运可能为全年谷底,第4季可望回升。力成科技已连续2个月营收走滑;福懋科技预期8月应为谷底,第3季营运将比上季衰退10~20%;

存储器厂力晶退出PC DRAM品牌市场后,加速利基型和代工产品领域布局,力晶从日商瑞萨(Renesas)手上拿到NAND Flash技术后,之前因为制程技术还跟不上国际大厂,多数是承接零星订单为主,但日前传出正崴集团旗下劲永包下力晶12寸晶圆厂4,000~

整体来看,台厂在NAND Flash领域已缺席多年,未来若要持续在存储器产业生存,布局NAND Flash领域是很重要一环,不管是技转、自行研发或用任何方式,台厂加入NAND Flash领域已是必然趋势。

三星最新的合作对象并非老搭档慧荣和擎泰,反而意外由IP服务供应商智原出线,传出三星首笔下单数量已达500万~700万颗,在联电采65纳米制程生产,预计第4季大量出货,对此智原则表示,不针对单一客户评论。

日前新帝正式推出64GB Extreme Pro SDXC UHS-I记忆卡和手机、平板计算机专用的Mobile Ultra microSDXC小型记忆卡,这是继32GB产品后,再一次推升快闪存储器容量到64GB,且强调快速读写,专攻FullHD录像等动态

Ultrabook就象是两刃刀,虽然让固态硬盘(SSD)需求起飞,也带动DRAM搭载量加速提升至4GB水平,但存储器模块端的商机却逐渐萎缩。

半导体的代表性产品DRAM在近期跌跌不休,但各大厂在9月祭出减产策略后,总算抑止了跌价。2011年9月上半的DDR3 1GB产品单价约为0.61美元,与8月下半持平。

目前出货量最大的是在SATA芯片,惟杀价甚剧,未来营运重心将会放在卡片阅读机芯片和Hub端芯片发展。截至目前USB3.0占营收比已经超过5%,且将陆续推出新产品。

全球快闪记忆卡大厂新帝(SanDisk)22日宣布,将Ultra超薄固态硬盘(SSD)推到零售市场,将传统硬盘汰换成SSD产品,目前提供容量包括60GB、120GB和240GB等3种容量,已开始供货;

据报导,三星电子(Samsung Electronics) DRAM存储器芯片制程技术从30纳米缩减至20纳米,再度写下DRAM微细制程的新纪元。三星22日宣布领先全球采用20纳米制程量产2Gb容量DRAM,其2010年7月率先采用30纳米级制程量产DRA

尔必达(Elpida)曾在2011年第2季中因为抢先宣布成功开发25纳米制程DRAM芯片,差点与一向技术领先的三星电子(Samsung Electronics)擦枪走火!三星半导体事业部社长权五铉曾表示,尔必达25纳米DRAM是否能量产要再观察;

PC外围芯片厂创惟(6104)近期传出于IDF论坛再接获金士顿和Seagate于USB3.0的SATA芯片大单,USB3.0营运有望增温,其于USB3.0的进展也再度成为今日(9/22)法说会焦点。

Rambus控告半导体大厂美光(Micron)、海力士(Hynix)共谋,阻碍Rambus的RDRAM成为业界标准的反柯断官司,出现最新发展。

朗科科技昨天在北京高调召开“国粹·典范,专利·优盘”新产品发布会,一气发布了景泰蓝工艺系列闪存盘、国瓷釉下潮彩系列闪存盘、碳雕系列闪存盘以及瑞兽浮雕系列闪存盘等四大堪称“国礼”级的高端闪存盘。

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