2011年台湾奈米科技展日前于台北世贸一馆开幕,工研院首度展出高速非挥发性电阻式内存,目前正与国内相关DRAM厂洽谈合作计划,希望未来可以朝更高容量、更先进技术迈进,并锁定取代部分Flash市场。
RRAM是次世代存储器技术的一种,近几年次世代存储器一直被市场拿出来讨论,也是因为传统NAND Flash技术是采用传统浮动闸(Floating Gate)架构,在20或10纳米以下将会导致无法再微缩下去,因此半导体业者积极寻找新的存储器技术取代NAND
近期终端市场需求不错,一来大陆十一黄金周前,有记忆卡和优盘的补货需求,二来有来自苹果(Apple) iPhone新机和Ultrabook新产品上市所推动的补货力道,NAND Flash市场气氛算是和乐融融,但进入11月下旬后,就要提防报价回档的可能性。
台系DRAM厂南亚科、华亚科、瑞晶9月营收表现冷热有别,南亚科受惠新台币贬值,9月营收为新台币25.70亿元,较上月成长7%;
苹果已经在研发新型硬盘,这种硬盘将传统机械硬盘HDD与新型的固态硬盘SSD结合在一起,这种新兴硬盘不但可以提升系统速度,也可以降低制造成本。这种新型硬盘很像希捷前一段时间发布的混合硬盘。
IP设计业者智原(3035)上半年因USB3.0放量延宕,业绩低迷,公司预期下半年会逐季走扬。不过,法人却认为,USB3.0即便出货量有增长,惟在价格快速走低下,对于营收挹注有限,估计智原第三季、第四季营收仅微幅约1-2%增幅,今年全年营收将较去年衰退约1
威刚这2年来持续布局服务器DRAM和SSD领域已陆续收割,第4季营收预计可较第3季有2位数成长;再者,市场也估计随著DRAM报价落底反弹和NAND Flash价格稳定,威刚全年财报有机会挑战亏转盈。
全球NAND Flash龙头大厂东芝(Toshiba)研发次世代3次元NAND Flash「BiCS」,可望将储存空间提升至256GB以上,虽然此举将迫使东芝放弃目前在NAND Flash在拥有的市场优势,但为了把握日后的市场需求,东芝仍决定进行布局。
从2011年6月开始,1Gb DRAM的价格就不断滑落,不过近2个月价格维持在0.52美元,与2010年同期的2.72美元相比,至少下跌80%。韩国业界认为,现在DRAM价格应该已在谷底,不过2011年底前DRAM价格回升机会不大,可能会保持现状。
虽然目前旗下标准型存储器产能中,已有70%转到非PC用DRAM产品上,但不代表会放弃PC DRAM芯片,而是持续驱动成本下降;同时他也强调三星的存储器技术领先同业近2个世代,技术竞争力是三星最大优势和核心。
全球经济景气不确定因素相当大,即使行动装置等应用需求增加,但整体半导体产业成长将放缓,三星2012年资本支出将集中在具技术竞争力的产品上,晶圆代工会锁定高阶制程产品,PC DRAM产能降至30%,NAND Flash市场则是后势看好。
在大陆十一长假前的补货需求加持,现货价格止跌反弹,也带动合约价格止跌,南亚科指出,目前的确看到市场上库存逐渐消化,预计10月合约价有机会走向小幅上涨格局。
市场传出IC设计智原(3035-TW)获三星青睐,选为EMMC(内嵌式内存)的供货商,第 4 季营运看俏。但摩根士丹利证券出具报告表示,智原下半年USB 3.0营收和市场份额有下滑的风险,因此重申减码评等,并将目标价从31.4元调降至24元。
IC设计智原(3035-TW)合作伙伴睿思(Fresco Logic)宣布,推出最新 4 埠USB3.0主端控制芯片FL1100;FL1100整合USB物理层,为系统厂提供具有极佳成本效益及兼容性解决方案...
三星电子(Samsung Electronics)原本对全球最大快闪存储器16产线的投资犹豫不决,近来决定扩大对DRAM投资,以拉开与后继业者差距。