2011年台湾奈米科技展日前于台北世贸一馆开幕,工研院首度展出高速非挥发性电阻式内存,目前正与国内相关DRAM厂洽谈合作计划,希望未来可以朝更高容量、更先进技术迈进,并锁定取代部分Flash市场。
工研院奈米中心主任陈联泰表示,全球奈米科技不断蓬勃发展,在经济部技术处与奈米国家型计划的支持,工研院在奈米科技的研发表现卓越,在产品开发技术方面也屡获国际奖项,其中在内存的技术上面,由于长久以来都掌握在韩、日大厂手上,为了拥有自我技术,工研院投入多年之后,成功开发出高速非挥发性电阻式内存(RRAM)。
陈联泰说明,随着可携式产品的需求成长与功能提升,带动全球非挥发性内存(non-volatile memnory)的需求增温,能够快速读取的电阻式非挥发性内存(RRAM)深具竞争潜力,RRAM具备操作电压低、快速启动与读取、结构简单化、可多位记忆、奈久性佳、存储元件面积缩小及非破坏性读取等优势,是目前唯一能与具备低成本竞争力的闪存(Flash)对抗的非挥发性内存,若RRAM若能商品化,会再不久的将来成为革命性的内存。
陈联泰进一步指出,RRAM省电的特性上最低可达5微安培的电流与1.5V的低电压;在访问速度方面只要使用0.3奈米脉冲即可让组件正常操作,远优于一般闪存并可媲美SRAM。
此外,藉由多位阶的操作,可达成每个记忆单位储存2个bits,可以有效提升储存数据密度,也可缩小面积,降低成本,在200度C的温度下,数据可储存10年以上不流失,浅在商机可期。
陈联泰指出,这次所展出RRAM实际产品,采用0.18微米技术制程,容量为4MB,目前已经开始与国内多家DRAM厂洽谈合作计划,希望未来可以朝向90奈米技术以及更高容量发展。