DRAM价格自2010年下半持续下滑,全球最大内存制造商三星电子(Samsung Electronics)也受冲击,2011年第3季半导体事业营益率较前季降低2.7个百分点,对公司整体营业利益贡献度大幅下降。另一家南韩半导体厂海力士(Hynix)受伤更重。

Merino也表示,未来也考虑向南亚科购买相关的存储器专利,这会是双方未来合作的方向,就如同之前与美光达成专利授权合约后,目前也在评估向美光购买存储器相关专利。

根据最新泄漏的官方产品路线图,Intel SSD固态硬盘的更新脚步有所放缓,SSD 510系列高端型号的后两代继任者均将推迟一个季度发布。SSD 510系列采用2.5寸规格和34nm MLC NAND闪存,容量120/250GB,传输接口SATA 6Gbp

华邦电表示,新产品采用2种封装技术,其中USON封装的部分,产品容量从512Kb到8Mb,工作电压从1.8V到3V,其中8Mb是目前业界最高容量之闪存产品。

由于韩日系客户近期订单暂歇,加上时近年底,两岸客户也有开始因应2012年第1季传统淡季的准备动作,市场已初估创意11、12月业绩将逐月下滑,11月将介于新台币7亿~8亿元,12月则预估再跌落至6亿~7亿元间,公司下波业绩成长期应会落在2012年第1季底到第

平板计算机日益风行,拖累芯片制造商日益亏损,由于平板的芯片使用量比笔电减少75%,估算,过去三年来尔必达(Elpida)、海力士半导体与其他DRAM制造商共亏损140亿美元。

快闪记忆卡规格曾经百家争鸣,包括SD卡、MMC卡和Sony主导的Memory Stick在争夺主导权,最后完全不收权利金的MMC卡势力节节败退,现在已消失在快闪记忆卡市场,而Memory Stick也终究不敌SD卡势力逼近,让Sony也转向支持SD卡;

Sony多年前在快闪记忆卡力拱自家规格Memory Stick(MS)系列,但最终不敌SD卡,然近期眼看高阶动态录像所需高速记忆卡需求起飞,Sony有意策划全新记忆卡规格XQD来抢回主导权,且传出龙头厂新帝(SanDisk)亦会参与XQD规格制定,而为满足

据统计,日本尔必达、韩国海力士还有数不清的动态随机存取内存(DRAM)制造商过去 3 年总共损失 140 亿美元;而调研机构才刚推估这些内存公司先前因看好成长前景,挹注 370 亿美元兴土木盖工厂。

一年一度台北信息月将于12月3日至12月11日热闹开场,内存模块厂也趁年底最后一波档期吸引消费者目光,包括劲永(6145)、十铨(4967)都促销产品将锁定于NAND Flash领域,包括随身碟、记忆卡、SSD固态应碟等。

由于PC需求进入传统淡季,加上硬盘供应链缺口扩大,近期PC OEM客户传出陆续取消订单,导致11月下旬DRAM合约价重挫近8%,2GB容量DDR3模块跌破10美元,再度创下报价新低,合计近半年报价跌幅已逼近50%,加上国际大厂纷转进20纳米制程,预计201

因应DRAM市况不佳,产品价格低迷,包括尔必达 (Elpida)、力晶及南科等国内外厂商纷纷决定退出个人计算机DRAM市场,或扩大减产。

日前存储器模块厂和控制芯片业者一致看好,2011年SSD应用仅是试水温,2012年SSD趋势一定会起飞,尤其是19纳米制程成熟后,SSD每单位成本可达到业界期望已久的1美元水平,将助长SSD势力再下一城。

存储器产业寒风阵阵,DRAM报价跌破现金成本后,NAND Flash报价在年底也有守不住的迹象,上游大厂个个忙著找金主救援,期度过年底这一波难过的年关;

台湾半导体业发展时间很久,产业链完整,技术上也领先,因此发展位居全球前三大,接下来DRAM产业面临转型与调整,除了厂商需要寻找更多价值产品,台湾也要有产官学共同合作整合,以引领一个具有秩序的产业,未来才有持续发展的机会。

简讯快报

更多