2月27日下午消息,据尔必达的一名高管透露,由于本国救助方案和海外股权合作谈判进展不顺,该公司计划今天提交破产保护申请。作为日本硕果仅存的DRAM存储芯片厂商,苹果iPad的崛起导致的内存价格疲软令该公司遭受重压。

鉴于 Micro SD 128MB,256MB,512MB,SD卡 1GB,U盘模块 1GB 已经淡出市场,中国闪存市场网将3月1日取消Micro SD128MB~512MB、SD 1GB、U盘模块 1GB产品报价,敬请留意,感谢您对我们的支持。

日本最大DRAM厂尔必达(Elpida)昨(23)日宣布,将大举减资63.5%,再增资,以纾解巨额债务压力。业界传出,美国美光与日本政府金援尔必达呼声大,「台美日联手抗韩」阵容将因此更坚强。

东芝公司近日发布了BENAND产品。该产品基于单层存储单元(SLC)NAND闪存,并且内嵌错误纠正功能(ECC)。BENAND产品正式批量生产的时间为2012年3月。

对于今年的展望不用太悲观,因为在去年的「四大惨业」中,最有机会率先脱困就是DRAM,假设Elpida退出市场,DRAM供给量将再次缩减,此外,云端与Ultrabook新的应用需求浮现,将会是另一个契机。

主流的2Gb DDR3 DRAM均价在2012年第1季来到1美元,远低于2011年Q1的2.25美元,已达历史新低水位。此外,4GB DRAM模块在2011年底的报价则介于15-20美元之间,远低于2010年底的40美元。

全球第2大NAND型闪存(Flash Memory)厂商东芝(Toshiba)23日发布新闻稿宣布,已利用19nm制程研发出全球最大容量128Gb的3-bit-per-cell NAND Flash,并已和合作伙伴SanDisk携手于22日(美国当地时间)

动态随机存取内存(DRAM)厂华亚科(3474)总经理高启全表示,除办理私募普通股及可转换公司债外,华亚科将再办理银行联贷,金额约新台币100亿元。

高启全认为,DRAM产业已经不再是一昧追求技术、制程微缩的时代,而是透过整合的方式扩大市占率,因此,美光未来若成为华亚科最大股东,则有助于台日美DRAM产业整合,并有机会与韩系大厂相抗衡。

相较先前国内另一家DRAM厂瑞晶,也是由日商尔必达取代力晶,成为最大股东;从结果来看,这是因为台湾DRAM产业缺乏关键自主技术,才会走到这个地步。

华亚科去年亏损210亿元,每股税后净损4.53元,亏损幅度创下历史次高纪录,据此推算南科去年认列华亚科的转投资亏损高达59.3亿元,随著市况好转,华亚科本季开始有缓步提升稼动率的情况,投片量略微增加。

快闪记忆储存解决方案厂商SanDisk宣布针对超薄笔电推出新的固态硬盘 (SSD),连续读/写速度每秒高达500/420MB,10秒内能复制一部4GB高画质电影,还可客制化薄型尺寸。

据报导,Panasonic已研发出一款处理速度(数据写入速度)可达NAND型闪存(Flash Memory)20倍的次世代内存「ReRAM(可变电阻式内存)」,且藉由对半导体回路及构造进行改良后,其记忆容量也获得大幅提升;ReRAM为一种即便关掉电源数据也

2012年eMMC和固态硬盘(SSD)并列为2012年两大产品应用,台系控制芯片在emmc领域表现不错,各emmc控制芯片单月出货都上千万颗,有力的带动营收上扬,SSD芯片处于劣势,台厂SSD控制芯片若要有实质营收贡献,至少要等到2012年下半年。

当中内嵌的系统单芯片(SoC)被标示为「A5X」,而非市场传言的「A6」处理器。根据报导,这块主板显示A5X是在2011年11月制造,而Hynix则提供了16GB的NAND型闪存(NAND Flash)。

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