Panasonic传已研发出处理速度达闪存20倍的ReRAM

存储器 中国闪存市场 Helan 2012-02-22 08:53
据报导,Panasonic已研发出一款处理速度(数据写入速度)可达NAND型闪存(Flash Memory)20倍的次世代内存「ReRAM(可变电阻式内存)」,且藉由对半导体回路及构造进行改良后,其记忆容量也获得大幅提升;ReRAM为一种即便关掉电源数据也不会消失的内存。报导指出,Panasonic计划将此次所新研发的ReRAM搭载于需要处理大量情报的智能型手机或平板计算机上,并计划于今后2-3年内将其实用化(量产)。
报导指出,上述新研发的ReRAM产品因可藉由现有的半导体制程进行生产,故预估其生产成本将同于NAND Flash。据报导,Panasonic原先就计划于今(2012)年内领先全球率先量产ReRAM,而Panasonic此次新研发的产品的处理速度则又较量产版产品提高了1倍(Panasonic即将于今年量产的ReRAM产品的处理速度达NAND Flash的10倍)。
日经新闻曾于2010年10月13日报导指出,日本DRAM龙头厂尔必达(Elpida)将与Sharp合作,携手研发情报处理速度及耗电力皆优于现行NAND Flash的新型半导体内存「ReRAM」;双方计划于2013年进行送样并利用尔必达生产据点进行量产。
惠普(HP)于2010年8月31日宣布,该公司已经跟南韩内存芯片大厂Hynix Semiconductor Inc.签订联合开发协议,双方将携手开发新材料以及制程整合技术,将一种名为忆阻器(memory resistor;简称「memristor」)的新型电路组件商用化为新型非挥发性电阻式随机存取内存「ReRAM」。

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