据南韩电子新闻报导,三星电子(Samsung Electronics)和海力士半导体(Hynix) 2012年底将会投入次世代记忆体DDR 4量产,领先全球记忆体市场。三星、海力士等近来在美国旧金山国际固态电路会议(ISSCC)上展示了30奈米等级DDR

全球DRAM大厂尔必达,日前宣布声请破产保护,几乎也等于宣告台日DRAM业者连手抗韩的策略已破局。不过竹科业界则是认为DRAM业如果处理得宜,联合美日台业界对抗韩国是大好时机...

尔必达破产案,产业重整,联美抗韩议题再引起讨论。南亚(1303-TW)总经理吴嘉昭今天特别对外说明,否认台塑希望由官方协助,援引当年台湾创新内存公司(TIMC)模式,他更强调,「不要说台厂没有技术」,南科(2408-TW)和美光42奈米以下产品其实是有共同

至上主要代理Samsung产品线,其中DRAM占营收比重约10%上下,其它代理产品则包括NAND Flash、LCD面板、LCD驱动IC、硬盘与LED等。

而该公司USB3.0目前也已取得2-3家NB厂认证,3月起开始交货,今年该产品营收占比有机会冲上3-5%,加上手机也已锁定2-3家目标客户,新产品动能转强。

日本尔必达宣布申请破产保护,经济部长施颜祥今天说,「会对台湾产业有影响,但影响可以控制」,台美日联合抗韩策略仍乐观积极进行,不会受到尔必达声请更生保护影响。

美光积极扩大与台湾NAND控制芯片厂合作,这次砸6亿美元收购英特尔两座厂房股权,扩大NAND相关布局,对控制IC需求同步大增,市场预期群联、擎泰、慧荣等台湾控制芯片厂,都将受惠。

IC、记忆体专业封装及测试IC设计钰创(5351-TW)除了布局USB 3.0主机端芯片外,也宣布进军装置端领域,钰创发表甫通过国际USB-IF之 SuperSpeed USB认证之USB3.0单信道闪记忆碟(Flash Drive)控制单芯片,预计第 2

虽然市场认为,韩系厂商垄断DRAM市场将不利产业发展,黄崇仁却表示,韩国三星、海力士均以利润为导向,因此并不担心未来DRAM产业的发展,反而相当看好后市。

尔必达声请更生不代表「玩不下去了」,而是释出内存厂商整并的讯号;可以肯定的是,南韩大厂三星与海力士在内存产业的「话语权」将提升,台厂若不能在技术上突破,恐难避免边缘化。

据报道,英特尔与美光科技达成协议,将扩大2家公司在NAND闪存合资合作关系,提高合资合作的效率和灵活性。按照协议,美光将向英特尔提供NAND产品,而英特尔将出售其两家晶圆片工厂约6亿美元的股份。

日本DRAM(动态随机储取内存)巨头尔必达27日无预警申请破产! 不但引发市场哗然,更撼动全球DRAM业界。尔必达在台封测代工厂包括力成(6239)、华东科技(8110)均已经启动因应机制...

2月28日消息,据报道,美国内存芯片生产商美光公司(Micron)或将成为日本尔必达存储器公司(Elpida)破产的最大受益者。尔必达公司昨日发文宣布正式退出计算机内存行业,为其竞争对手带来低价收购其生产工厂的机会。

日本DRAM大厂尔必达惊传申请破产保护,震惊全球DRAM产业,与2007年时奇梦达退出市场情况雷同,破产保护虽与倒闭不同,尔必达仍可继续投片生产,但对于DRAM后市影响仍不容小觑。

尔必达宣布声请破产保护,台厂紧盯DRAM报价后续走势之余,南科、华亚科等期待行动存储器转单商机,希望能增加利润较好的行动存储器订单,加速转盈。

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