日前大陆无锡工厂大火,为降低DRAM生产所受到的冲击,并尽可能维持在全球市场上的市占率,SK海力士决定扩充利川DRAM厂产能因应,计划2013年内将京畿道利川DRAM工厂产能提升30%,清州NAND Flash厂的部分设备,也将转移至利川做DRAM产线设备

存储器制造商SK Hynix位于中国大陆无锡的DRAM厂房日前遭祝融肆虐,导致全球DRAM供应量受到冲击;而SK Hynix为弥补DRAM产能不足,遂将部分储存型NAND Flash产线挪为生产DRAM,使得NAND Flash供货也连带受到影响,紧缩警报

海力士无锡厂大火,引发全球存储器报价大涨,法人估计,因该厂月产约10万片标准型存储器及3万片移动存储器,占全球DRAM总产能逾1成,未来复工情形将牵动DRAM后市,而因火灾造成的生产缺口短线仍未能完全补上,台厂相关厂商可望受惠。

威刚甫在8月底大举回补DRAM库存,随即碰上韩国SK海力士无锡厂大火,DRAM行情价在一周大涨逾25%,使得手中有货的威刚成了多家PC OEM、ODM厂的「抢购」对象。

业界原本预期DRAM报价在9月恐将出现一波跌势,以反映PC、高阶智能型手机销售不如预期的DRAM高库存修正。然SK海力士无锡厂9月4日一把大火,让DRAM产能供应减少。

三星电子(Samsung Electronics)12日举行第十届的移动解决方案论坛「Samsung Mobile Forum」,此论坛主题围绕著移动设备、云端运算和节能环保等议题,点出未来智能型移动设备的挑战,包括CPU/GPU效能和耗电问题、存储器带宽

SanDisk刚刚推出了一款售价约合人民币12439元的大容量CF存储卡,所面向的用户当然已经不是随随便便的摄影爱好者,而是那些期望拍摄4K视频,比如使用类似佳能EOS-1D C这样的单反的用户。

传输界面芯片厂创惟科技 拓展消费电子市场大有斩获,可望带动第3季USB3.0产品业绩激增,将可超越上半年水平,产品比重将逾3成。

国际品牌和白牌手机机海齐发,新款笔电需求也逐渐升温,加上工控产品需求持稳,包括创见(2451)、威刚、宇瞻、广颖等内存模块厂本月可望旺季需求浮现,营运看升。

广颖表示,新推出的 Thunderbolt系列新产品包括有Thunder T11及Thunder T20等,近日将于英特尔开发者论坛中展示。

NAND Flash制程技术从1X纳米开始转进1y纳米,再往下将面临难以持续微缩的问题,业界寄望3D技术可以接替摩尔定律,继续引领半导体产业向前迈进。目前在NAND Flash领域3D技术已有重大突破,三星电子(Samsung Electronics)..

上周三存储器市场因为SK海力士(SK Hynix)大陆无锡厂发生大火引起了市场慌乱,介于后市供应不明等因素,DRAM和NAND Flash顺势拉涨。现在已经步入9月,即将迎来中国国庆长假...

由USB 3.0推广小组推动的10 Gbps USB传输速度新规范已近敲定。该规范在今年1月首次提出,但它现在已经有了一个崭新的名字——SuperSpeed USB 3.1。与USB 3.0相比,新标准的数据吞吐量大了一倍。

英特尔公司今日宣布了Professional家族的SSD新品,其中便包括Pro 1500系列。新款企业级固态硬盘有着易于部署和安全管理的专门设计,并提供较低的总体拥有成本和超过以往Intel SSD的增强性能。

戴尔、惠普与联想等五大PC厂采购主管上周末扑台,抢补DRAM货源,尽管SK海力士官方澄清无锡厂受创轻微,不过据PC厂了解,海力士无锡厂已经伤及无尘室,复工时间恐需9个月~12个月,预估将冲击全球PC DRAM至少一成供货量,DRAM恐一路缺到明年第1季。

简讯快报

更多