为了缓解智能型手机获利逐渐下滑的疑虑,三星电子1日宣布,该公司打算把更多焦点放在固态硬盘(SSD)领域。
全球半导体景气持续畅旺,晶圆厂产能陆续传出满载,近期半导体厂纷酝酿调涨价格,其中,南亚科(2408)经历转亏为盈、大举减资后,终于咸鱼大翻身,近期受惠于终端市场需求强劲...
美日大厂连手追赶,南韩三星与SK海力士(SK Hynix)2014年首季NAND Flash(闪存)全球市占率近两年来首度跌破五成。
存储器模组大厂威刚科技(3260)董事长陈立白昨(30)日接受专访时表示,DRAM自5月之后已经缺货,NAND Flash也在近期因供给吃紧而价格上涨10%。
DRAM、NAND Flash报价看涨,带动分析师喊进美光、SanDisk,而这两档个股也不负众望,分别创下2002年与历史新高纪录。
市场预估下半年DRAM吃紧,价格可望续上涨,买方可能有钱买不到货,这热况不仅华亚科(3474)、南科(2408)时来运转,获利会比上半年好,连已下市的力晶也有机会翻身。
存储器模组大厂威刚(3260)董事长陈立白昨指出,第3季、第4季DRAM将因缺货带动创历史新高可期,NAND Flash也开始上涨,双涨行情来到,法人预期威刚第3季营收与获利可望显著爆发,今年全年获利有机会跟去年拉近。
据报导,Mok的报告的重点大概可总结为:「DRAM市况优于预期、28奈米/20奈米晶圆代工支出上扬,但部分16/14奈米FinFET(鳍式场效电晶体)订单却有被延后迹象。」
封测业日月光(2311)、矽品(2325)等厂商,皆预期下半年营运会比上半年好,目前业界产能不足,客户只求能拿到产能,不会提出议价,封测业营收不仅多数将逐季成长,毛利率上扬可期,带动获利也可望丰收。
受到三大DRAM厂25奈米制程微缩不顺影响,应用在PC及伺服器的标准型DRAM供给吃紧,4Gb DDR3晶片现货价自4月底起一路缓涨,上周末已站上4.3美元并创下历史新高价;
美国DRAM大厂美光科技(Micron)本年度第3季获利暴增,净利达8.06亿美元,较去年同期暴增近19倍,每股净利0.68美元。
利基型DRAM厂力积(3553)今召开股东会,力积董事长蔡国智表示,目前接单状况不错,对于下半年展望乐观。
台系存储器厂纷纷跨入NAND Flash领域,但日前日系存储器大厂东芝(Toshiba)突然将专利大刀砍向力晶等台厂,引发半导体业界一阵错愕。
南亚科近年营运策略由标准型DRAM转为利基型DRAM,专注在消费性和低功率等利基型产品,加强拓展大陆及亚太地区的市场,并透过30奈米技术产能提升,降低生产成本,竞争效益可望加速发酵。
近期全球NAND Flash大厂美光(Micron)及SK海力士(SK Hynix)纷向下游存储器客户直言目前已没有货源可供应,加上固态硬盘(SSD)市场需求急速爆发,消耗大量NAND Flash产能,以及2014年下半苹果(Apple)新款iPhone将