台厂无惧专利大刀强攻NAND Flash拓商机

存储器 中国闪存市场 Helan 2014-06-23 10:53

台系存储器厂纷纷跨入NAND Flash领域,但日前日系存储器大厂东芝(Toshiba)突然将专利大刀砍向力晶等台厂,引发半导体业界一阵错愕,但同样转进低容量NAND Flash产品线的旺宏和华邦则认为,不担心专利问题,要努力让新产品NAND Flash扎根稳健。

台湾半导体厂在NAND Flash领域缺席已久,三星电子(Samsung Electronics)、东芝(Toshiba)/SanDisk、美光(Micron)、SK海力士(SK Hynix)等已赚饱黄金十年,台系存储器厂才陆续切入低容量NAND Flash加入战局,希望能在利基型应用市场获得一席之地。

台系存储器厂跨足NAND Flash领域分为二大路线,一派是师承日系存储器厂瑞萨(Renesas)的力晶。瑞萨在这10年的NAND Flash产业热浪中,是少数无力负担技术开发和扩产而退出市场者,将技术卖给力晶,在力晶接手后走上独立技术开发之路。

另一派是NOR Flash供应商陆续转进低容量NAND Flash市场,例如旺宏和华邦,都是自己开发技术,着眼点是NOR Flash应用走到高容量之后成本太高,陆续被低容量NAND Flash取代,因此旺宏和华邦在客户的要求下,纷纷投入技术开发,以符合客户需求。

不过,近期东芝突然将手上的NAND Flash专利大刀砍向力晶,2014年6月初突然在台湾智能财产法院针对4家台厂包括力晶、智旺科技、力积、瑄誉科技等提出快闪存储器专利侵权,禁止这四家台厂出货,并且要求赔偿新台币1亿元。

业界认为,虽然东芝要求的赔偿金额不多,但此举的确让台系存储器厂在进军NAND Flash领域时,多了份警觉心,更不敢轻忽设计避开专利的问题。旺宏和华邦双双表示,无损持续扩展低容量NAND Flash市场的雄心,且坚信此产品线对于营收贡献会一直扩大。

旺宏已将自己研发的SLC型NAND Flash芯片导入12吋晶圆厂,且开始用36奈米制程技术生产,包括3V和1.8V芯片,容量涵盖1Gb~8Gb芯片,预计2014年下半量产8Gb芯片,同时也针对嵌入式和无线网路市场应用,推出NAND-Based的MCP产品线,此产品线预计2014年第2季送样,下半年量产。

华邦则指出,SLC型NAND Flash产品线会聚焦在1Gb和2Gb市场,策略上会从应用面找客户,此产品线已列为内部重点扶植的营运秘密武器,下半年贡献营收会更为显著。

再者,华邦也强调,未来客户端策略会淡出白牌手机市场,专心攻打一线品牌客户,主要考量白牌市场难以做出附加价值,且与品牌大厂合作,更容易获得未来3年产品规格发展趋势,这是协助公司营运升级。

旺宏NAND Flash芯片布局

旺宏为NOR Flash和ROM供应商,也陆续跨入低容量SLC型NAND Flash芯片市场,可作为高容量NOR Flash芯片的取代产品,且成本更低。

旺宏近期已将SLC型NAND Flash芯片导入36奈米制程技术,并计划以12吋晶圆厂生产,预计2014年下半量产8Gb芯片,未来整体产品线会涵盖1Gb~8Gb容量芯片,同时旺宏也规划推出NAND-Based的MCP产品线,在2014年第2季进行送样给客户认证,预计下半年进入量产。

 

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