苹果新机及因应返校电脑需求新品推出,带动相关存储器需求增温,法人预期,存储器封测业力成、华东及华泰等,9月订单回温,为本季营收捎来佳音。
全球半导体龙头英特尔(Intel)推出3D XPoint技术,睽违31年再度挥军DRAM市场。英特尔并非着手制造DRAM,而是以结合DRAM和NAND Flash的次世代存储器,攻略服务器用DRAM市场。
SSD取代HDD成市场存储的主流,关键在于容量和价格,2015年原厂三星、东芝等积极发展3D NAND技术,SSD在容量上已可与HDD匹敌,未来的3年内SSD容量可翻三番,将远远超过HDD的存储容量,同时SSD价格也将有很大的竞争优势。
SSD价格持续下滑刺激消费者对SSD替换HDD需求增加,同时笔记本以及二合一/混合/变形电脑搭载SSD需求亦同步增长,预计2015年SSD在消费类市场的渗透率将超过30%,2018年将超过60%逐渐成为市场主流。
日本媒体每日新闻15日报导,因智能手机用需求强劲,故Sony等半导体厂商和去年一样,中元节长假期间不停工、工厂持续维持产能全开状态;其中,Sony子公司Sony Semiconductor 6座工厂全部销假不停工、持续生产使用于智能手机的CMOS影像传感器
2015年原厂利用先进1ynm工艺加速TLC规模化量产,虽然NAND Flash TLC擦写寿命、稳定性、可靠性等方面不如MLC,但随着NAND Flash技术的成熟,以及控制芯片厂SandForce、Marvell、慧荣、群联等均利用低密度奇偶校验码(L
随着NAND Flash技术工艺向1ynm或1Znm发展,东芝15nm工艺使NAND Flash Die容量提高至128Gb,又利用3D TLC 48层技术将容量提升至256Gb。于此同时,在NAND Flash Die堆叠技术方面,东芝宣布可实现16-D
英特尔、美光于7月29日宣布开发出新世代存储器技术3D Xpoint,存储的资料比DRAM高出十倍,读写速度与耐受度更是NAND存储器的1千倍之多,如此革新的技术让三星电子、SK Hynix大为紧张。
端对端科技解决供应商戴尔公司宣布,公司将成为业界第一家采用最新、最高密度及更高性价比企业硬盘的存储阵列供应商,可协助各种规模的企业大幅降低与存储和管理贵重资料与IT应用相关的成本。
上游芯片厂之间的竞争加剧,尤其是尖端技术上的竞争再度升温,NAND Flash龙头大厂三星早在两年前率先投入3D NAND生产,为了确保其领先地位,可能将提前量产48层V-NAND,预计将在Q3季度内生产,2016年推出64层堆栈的V-NAND。
东芝8月6日宣布采用Through Silicon Via (TSV)技术推出全球首款最大堆叠16-Die的NAND Flash,将在8月11-13日在美国加州圣克拉拉举行的2015年闪存峰会(Flash Memory Summit 2015)上展示其原型
东芝(Toshiba)和SanDisk 3日宣布开发出48层的3D NAND Flash。外媒猜测,由于东芝和SanDisk是苹果两大存储器供应商,这或许意味明年发布的iPhone 7将搭载这款新NAND Flash芯片。
2015年8月4日,全球领先的flash存储解决方案商SanDisk公司(纳斯达克:SNDK),宣布已与SK海力士达成长期商业合作协议。SanDisk修改和扩展知识产权许可关系,SK海力士提供其尖端DRAM产品给SanDisk;协议包括解决2014年滥用商
今天,希捷、美光达成的联盟发布了首批合作产品,其中希捷方面叫做1200.2系列,美光方面则叫S600DC系列,本质上是相同的。
8月3日,SanDisk公司宣布推出的全球首款256Gb 3-bit-per-cell(X3)架构48层的3D NAND芯片,将与合作伙伴东芝一起在日本四日市开始试产。