SanDisk宣布量产256Gb 48层TLC 3D NAND

存储器 中国闪存市场 Helan 2015-08-04 11:23
8月3日,SanDisk公司宣布推出的全球首款256Gb 3-bit-per-cell(X3)架构48层的3D NAND芯片,将与合作伙伴东芝在日本四日市开始试产。
SanDisk 存储技术执行副总裁Dr. Siva Sivaram表示,“对于我们第一款3D NAND芯片开始量产我们感到很高兴,我们第一款256Gb TLC 3D NAND芯片,采用行业领先的48层BiCS技术,同时SanDisk将持续发展TLC技术,为客户提供极具效益的存储解决方案。
SanDisk BICS 3D技术可持续性的提高3D NAND容量,同时具有更强的写/擦除耐力,写入速度也相对于传统的2D NAND更具效率。
SanDisk 256Gb TLC BICS芯片应用领域广泛,包括消费级、移动/企业级等客户,并预计将于2016年出货。

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