三星电子展示全球首款 5nm MRAM 研发成果,目标 2027 年量产

存储器 2026-06-17 17:53

三星电子日前在 2026 年度 IEEE VLSI 研讨会上展示了全球首款 5nm MRAM(磁性随机存取存储器)的研发成果。与DRAM相比,MRAM的优势在于具备非易失性,无需频繁刷新,几乎可以无限期地保留信息,从而实现了能效端的优势。三星电子 5nm MRAM 的工作温度范围为-40~+150 ℃,可满足 AEC-Q100 标准要求,目前正朝 2027 年量产的既定目标稳步推进。

简讯快报

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