AI时代存储原厂扩产路线分化:DRAM拼产能,NAND拼技术

产业分析 CFM闪存市场 Andy 2026-06-15 16:15

引言

随着AI应用爆发,全球存储产业已步入新的上升通道。核心驱动力来自大型云服务商对算力底座的持续重投:一方面,为保障模型训练与推理的性能瓶颈,HBM、服务器DRAM及企业级SSD成为刚需;另一方面,面对供应链博弈,巨头们倾向于利用长期采购协议(LTA)锁定核心产能。这种“扩量+锁产”的双重策略,正是其在AI大模型竞争中确立领先壁垒的关键手段。

面对来自AI领域的强劲需求,近期据韩媒报道,SK海力士计划2030年至2031年间,将其DRAM晶圆月产能从目前的约55万片大幅提升至100万片左右,实现产能翻倍。此举不仅印证了SK海力士对AI算力时代的坚定押注,也标志着全球存储巨头的产能竞赛已步入全面提速的新阶段。


来源:公开信息,CFM闪存市场整理

三星:平泽基地提速,DRAM扩产优先,NAND弹性布局

三星电子以韩国平泽半导体园区为核心阵地,通过一系列产能扩张与战略调整,加速将先进制程转化为实际生产力。具体来看,其核心工厂的建设与投产节奏均迎来了显著提速:

•  P4工厂:设备安装与测试运行较原计划提前2-3个月,预计将承担三星1c nm DRAM的重要量产任务,并为HBM4相关产品提供晶圆支持。

•  P5工厂:P5 PH1聚焦1c nm制程DRAM的生产,预计将同时兼顾高性能通用DRAM与HBM产品的制造。尽管原定目标为2028年投产,但在当前供需极度紧张的背景下,不排除进一步提前启动的可能。此外, P5 PH2厂区建设也已大幅提前,原计划明年初破土动工,已提前至今年下半年启动。

•  NAND Flash:P5工厂规划了一条NAND Flash产线,相关洁净室预计将于2027年正式投入使用。该产线的具体运营将根据全球NAND市场的实际需求进行动态、灵活的产能调配。

SK海力士:龙仁集群挑大梁,DRAM扩产剑指百万片月产能

为兑现2030年实现100万片DRAM月产能的宏大目标,SK海力士正将战略重心高度聚焦于韩国本土的“龙仁半导体集群”。具体来看,其核心规划如下:

•  龙仁一期:共6个洁净室,首个洁净室的设备搬入时间已从原定的2027年5月提前至2月。首个洁净室投产后将率先释放约6万片月产能,后续洁净室逐步投产后,龙仁一期整体月产能有望达到36万片。

•  清州M15X:扩建项目正在紧锣密鼓地推进中。该新建晶圆厂计划于今年下半年率先以每月4万片的规模启动运营,并在2027年将产能稳步爬坡至约8万片。

•  美国印第安纳州HBM先进封装厂:预计将于2028年正式投产,旨在进一步强化其在北美的供应链体系,就近响应当地AI数据中心对高带宽内存的庞大需求。

•  NAND Flash:据韩媒报道,SK海力士将在2026年年底前量产下一代375层3D NAND闪存,主要是对清州M15工厂现有产线进行改造升级;从明年下半年开始在中国大连二厂(Fab 68)量产采用浮动栅极(FG)结构的200层级中后段NAND Flash,还将同步导入QLC技术。

美光:全球多点布局,聚焦HBM与NAND双轨扩产

美光通过“全球多点开花”与“收购提速”的组合拳策略,加速产能建设,重点强化HBM封装能力与DRAM、NAND产能储备。

•  DRAM:美国爱达荷州首座晶圆厂预计2027年中期投产,纽约晶圆厂已正式动工;日本广岛工厂洁净室扩建按计划推进,铜锣P5厂预计于2028财年开始贡献规模化DRAM出货。

•  NAND:新加坡新工厂已破土动工,目标2028年下半年投产,将显著提升大容量NAND产能。

•  先进封装:印度组装测试工厂已实现商业发货;新加坡HBM先进封装厂预计2026年开始运营,并于2027年开始贡献显著产能。

存储原厂扩产路线分化:DRAM拼产能,NAND拼技术

纵观上述三大存储原厂的扩产计划,一场围绕AI算力需求的结构性调整正在上演。为了在超级周期中实现利润最大化,三星、SK海力士和美光正将绝大部分资金精准投向高附加值的HBM和DDR5产线,使得DRAM成为本轮扩产的绝对主角。

而NAND Flash的发展则不再依赖单一技术路线与粗放式扩产。

技术端,行业告别单纯增加堆叠层数的模式,转向以钼等新材料、晶圆键合新架构为核心,通过金属化工艺、电路优化、单元微缩等技术组合,驱动性能迭代;产能端,原厂普遍采取较为克制的扩产策略,优先通过层数升级、导入QLC架构、控制器算法优化盘活现有产能,在严格控制重资产投入的同时,最大化提升单位晶圆Bit产出效率与成本竞争力。材料、架构、设备、工艺与产能效能的协同创新,将构成NAND Flash未来的发展主线。

不过,着眼于更长远的战略布局,部分厂商已开始提前落子。铠侠目前正在积极评估于日本北上工厂园区建设全新晶圆厂的可行性,据日媒透露,该工厂最快或于2029至2030年间投产,未来有望承接下一代BiCS NAND产品的产能扩张需求。

全球存储版图重构:中国存储力量开始崛起

与此同时,中国本土存储力量正凭借技术升级与产能扩张的双轮驱动,在全球竞争中稳步攀升。

长鑫存储积极推进DRAM产线技术升级迭代,加速拓展其DDR5产品在服务器市场的规模化应用。除了合肥、北京现有工厂的产能爬坡,据产业链消息,长鑫存储正在推进上海新生产基地建设,以满足未来DRAM需求增长。据CFM闪存市场数据显示,今年一季度长鑫存储市场份额已提升至7.7%,在全球存储原厂DRAM营收排名第四。

长江存储在持续推进Xtacking架构向300层以上演进的同时,下半年二厂2B将实现产能爬坡和供应增长。武汉三期工厂正在持续推进建设,将成为长江存储进一步扩充先进NAND产能的重要基地。随着新产线逐步释放产能,长江存储在全球NAND Flash市场的竞争力有望进一步提升。

总结

从各存储原厂目前规划来看,2026-2028年将成为全球存储产业产能建设与技术升级最密集的阶段。AI需求正在推动存储原厂资本开支向DRAM、HBM及企业级SSD倾斜,而新增产能真正大规模释放则普遍集中在2027-2030年之间。未来市场能否维持高景气度,最终仍取决于AI基础设施投资与新增供给之间的动态平衡。

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