三星12层HBM3E芯片也已完成量产准备,计划于今年下半年开始供货。
据韩国业内人士称,三星电子已订购可将HBM所需DRAM芯片质量分为最多三个级别的设备(分选机),这是半导体行业首次尝试在制作HBM之前检查和划分DRAM。
今年以来,随着存储原厂NAND制程相继迭代,200层以上NAND的供应增加,高密度NAND在市场应用中逐步取得进展。
最新消息称,铠侠IPO上市时间已由此前规划的10月向后推延至11月以后,主因近期全球半导体类股表现疲弱,股价出现较大幅度下跌,铠侠研判上市时的市值将无法达到所设定的1.5万亿日圆的目标。
据证监会网站显示,武汉新芯IPO辅导状态已于近日变更为“辅导验收”。这表明武汉新芯已完成了必要的准备工作,正朝着IPO的目标稳步前进。
十铨表示,本次合作首波以专为电影创作者而生的T-CREATE系列为始,包含CinemaPr P31移动外接式SSD及DRAM与SSD产品线作为攻占市场战力。
在DRAM制程方面,不同于DDR4/LPDDR4/4X普遍采用1y/1z nm等制程,DDR5/LPDDR5X/HBM3E需要采用更加先进的1a/1b nm制程以提高性能和单位容量。目前,三星电子和SK海力士均在积极推进1b DRAM先进制程的增产工作。
适逢中秋节假期,按国家规定放假3天,即9月15-17日放假,9月14日闪存卡、USB 2.0、USB 3.0人民币正常报价,9月16、17日所有产品均暂停报价,9月18日(星期三)恢复所有产品报价。
消息称,三星电子计划在今年年底前制定对其平泽P2工厂DRAM生产线进行尖端DRAM转换的投资计划。
从这三大台系存储原厂发布的业绩数据来看,旺宏电子、南亚科技8月营收均实现同比、环比双重攀升,华邦电子虽环比略微回落,但同比亦录得正增长。而从累计营收来看,南亚科技和华邦电子均实现同比增长。
据CFM闪存市场预估,今年全球折叠屏手机出货量约2000万台,全球智能手机出货量约11.7亿台,折叠屏手机仅占比1.7%。
相较而言,由于TLC相较QLC资源应用范围较广,且部分料号是系统厂商design in资源,价格表现也相对有撑。
旺宏电子8月份合并营收26.96亿元(新台币,下同),环比增加12.1% ,同比增加3.7%,创16个月以来高点。累计1-8月合并营收173.18亿元,同比减少10.3%。
SK海力士旗下的Solidigm由于QLC企业级SSD销售状况良好,其中国大连晶圆厂将在一段时间内继续采用FG(浮动栅极)NAND闪存工艺,并获得了新的设备投资。
兆易创新募集资金投资项目“DRAM芯片研发及产业化项目”的原实施主体为兆易创新及全资子公司上海格易,实施地点为北京市海淀区及上海市,现拟增加兆易创新全资子公司珠海横琴芯存、全资孙公司北京芯存、全资孙公司上海芯存、全资孙公司合肥芯存、全资孙公司西安芯存作为募投项目实施主体。